第三代半导体产业数字化公共服务平台

在产线建设过程中，超30款量产设备和材料由天马联合我国产业链企业首创。

科瑞半导体实施功率半导体产业链倍增计划，推进第三代半导体等功率器件封测产线的升级，于6月投资启动实施一期项目IGBT、SiC第三代半导体基础工艺封测产线建设，扩建半导体功率器件框架生产线，主要应用于充电桩、新能源汽车等领域。

12月14日，由半导体投资联盟主办、爱集微承办的2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼在上海圆满举行。现场，东方晶源微电子科技

在近期发表于 Science 的研究中，德国赫姆霍兹研究所Christoph J. Brabec和武建昌联合厦门大学王露遥、卡尔斯鲁厄理工学院 Pascal Friederich和韩国蔚山国立科学技术院Sang Il Seok开发了一种闭环自动化工作流程，首次实现了针对光电应用的有机半导体逆向设计，通过大数据和机器学习识别出决定有机半导体光电性能的关键因素，并将器件性能提升至26.2%的光电转换效率（PCE），这是该领域的重要突破。

欧盟委员会批准了一项13亿欧元的意大利补贴，以支持新加坡初创公司Silicon Box在诺瓦拉建造一个半导体先进封装和测试设施。

12月17日，Cree LED宣布与达科（Daktronics）签署一项为期多年的全球专利许可协议，该协议将于2024年12月生效。Cree LED将在协议

12月18日，深圳雷曼光电科技股份有限公司（下称雷曼光电）与成都辰显光电有限公司（下称辰显光电）在成都正式签署战略合作协议。

美国国防部宣布已于12月13日将中微半导体设备（上海）股份有限公司（Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China，AMEC）和IDG资本（IDG Capital Partners Co., Ltd.）从中国军事企业清单（CMC清单或1260H清单）中移除。

天岳先进与您共探SEMICON Japan 2024科技之旅！

天岳先进将继续秉持“先进 品质 持续”的理念，坚持自主创新，品质引领，为碳化硅行业的广阔发展贡献天岳力量。

“碳化硅功率器件及其封装技术 I”分会上，加拿大多伦多大学电气与计算机工程系教授吴伟东做了“SiC 功率 MOSFET老化检测智能栅极驱动器”的主题报告，分享了相关研究进展。

中南大学汪炼成联合中科院半导体研究所、湖南大学团队等近年一直致力原位集成超表面光场调控Micro-LED器件研究。

安森美（onsemi，纳斯达克股票代码：ON）宣布已与Qorvo达成协议，以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术

期间，“碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术”分会上，中微半导体设备（上海）股份有限公司工艺主任工程师陈丹莹做了“PRISMO PDS8 – 用于SiC功率器件外延生长的CVD设备”的主题报告，分享了基于CFD模拟的SiC刀具设计优化、AMEC PRISMO PDS8 SiC外延工艺结果等内容。

本研究提出了一种能够减轻高功率激光加工中热漂移问题的 4H-SiC 超透镜。

功率半导体测试系统解决方案创新领导者「忱芯科技（UniSiC）」近日宣布完成2亿元战略融资

在第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛重要产业峰会上，众多专家学者齐聚探讨Mini/Micro-LED技术产业应用最新趋势。

“Mini/Micro-LED技术产业应用峰会”上，广州市鸿利显示电子有限公司（鸿利智汇全资子公司）总经理刘传标做了“创新MLED技术，赋能直显和背光车载市场 ”的主题报告，分享了显示领域的发展现状，以及鸿利显示Mini LED特点及优势等内容。

位于江苏盐城综合保税区二期七号厂房的罗化芯显示项目，其3条Mini/Micro LED模组线已正式运营，预计达产后可实现年销售2亿元。

期间“第三代半导体标准与检测研讨会”上，深圳平湖实验室失效分析首席专家何光泽做了“面向SiC/GaN功率器件失效分析的测试技术与典型应用”的主题报告，结合第三代半导体功率器件产业链与分析检测应用之关联，第三代半导体功率器件分析流程，具体介绍了无损分析，电性失效分析 – 缺陷定位，物性失效分析–结构与缺陷观察等内容。