第三代半导体产业数字化公共服务平台

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时，西安电子科技大学集成电路学部教授宁静将受邀出席论坛，并带来了《超宽禁带半导体范德华异质结构及器件研究》的主题报告，敬请关注！

此次突破不仅体现了科友在碳化硅晶体生长技术与热场设计方面的持续创新能力，设备自研＋工艺自主是公司在宽禁带半导体材料领域坚实技术实力的重要证明。

高性能氮化镓（GaN）金属氧化物半导体（MOS）晶体管离不开具有低界面态和低漏电流的高质量MOS结构。然而，与SiO2/Si体系相比，氧

8月12日，第六届全国宽禁带半导体学术会议在大连落下帷幕。会议每两年一届，至今已成功举办了六届，第七届全国宽禁带半导体学术会议将由郑州大学接棒举办。

北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、宽禁带半导体研究中心、人工微结构和介观物理全国重点实验室、纳光电子前沿科学中

8月11日，第六届全国宽禁带半导体学术会议在大连开幕。

为推动我国宽禁带半导体领域的发展，促进产学研交流与协同创新，中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会、中国电子学会电子材料

倒计时2天｜第六届全国宽禁带半导体学术会议8月10-13日大连召开！

邀请函 | 纳维科技邀您共赴第六届全国宽禁带半导体学术会议

8月10日-13日，我国宽禁带半导体领域的行业盛会——第六届全国宽禁带半导体学术会议将在大连举办。华夏芯将携最新产品方案亮相本次学术盛会（展位号：A18），诚邀业界同仁莅临会议现场，交流探讨。

8月10日-13日，我国宽禁带半导体领域的行业盛会——第六届全国宽禁带半导体学术会议将在大连举办。润新微电子将携最新产品方案亮相本次学术盛会，诚挚邀请行业专家学者、业界同仁交流与探讨。

为推动我国宽禁带半导体领域的发展，促进产学研交流与协同创新，中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会、中国电子学会电子材料

邀请函 | 矢量集团邀您参加第六届全国宽禁带半导体学术会议

北京大学在IEEE ISPSD发表2项宽禁带半导体功率器件重要技术进展！

2025年8月10日-13日，我国宽禁带半导体领域的行业盛会——第六届全国宽禁带半导体学术会议将在大连举办。

【邀请函】科利德邀您共赴第六届全国宽禁带半导体学术会议

由宽禁带半导体国家工程研究中心主办，InSemi Research、协创微半导体联合承办，碳化硅芯观察协办，功率半导体行业联盟、高端芯片产业创新发展联盟、无锡市半导体行业协会、无锡市集成电路学会协办的“功率器件制造测试与应用大会(第三届IPF 2025)”将于2025年8月21-22日在中国无锡盛大启幕。

近日，北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、宽禁带半导体研究中心、人工微结构和介观物理全国重点实验室、纳光电子前沿科学中心唐宁、沈波团队和北京理工大学物理学院段俊熙团队合作在原子级薄六方氮化硼的能带结构研究上取得重要进展。

8月10日-13日，第六届“全国宽禁带半导体学术会议”将于大连举办。

西安电子科技大学集成电路学部郝跃教授团队张进成教授、宁静教授联合武汉大学何军教授团队在宽禁带半导体材料领域取得突破性进展