近年来，半导体发光二极管已经在国民经济的不同领域中得到广泛应用。随着技术的巨大飞跃，蓝光LED的光电转换效率已超70%，同时AlGaInP基红光LED技术也已经非常成熟。然而，发光波长介于两者之间的绿光LED的光电转换效率仍显著低于蓝光与红光LED，形成一个明显的效率低谷（Green Gap）。
针对这一难题，厦门大学康俊勇教授与乾照光电陈凯轩博士团队经过3年的联合攻关，提出通过并入高浓度氧形成AlNO缓冲层的方法，降低图形化蓝宝石衬底与GaN外延层间晶格失配导致的应力与缺陷，进而减缓了MQW中阱/垒的应力及其压电极化效应，提升了阱/垒界面的陡峭度，提高了阱中In组分的一致性，最终提高了LED的光电转换效率。基于该技术制备的526 nm绿光LED芯片（面积为0.1mm2），在20 A/cm2的工作条件下外量子效率达46.1%、光电转换效率达41.9%，为目前所报道的最高数值。除提升绿光LED效率以外，该技术预期也可以在AlN基紫外LED中发挥作用。
图1.AlNO缓冲层助力“Green Gap”问题的改善
论文第一作者为厦门大学博士生王爱民，合作作者为厦门大学李金钗老师，共同通讯作者为厦门大学康俊勇教授与乾照光电陈凯轩博士。
论文链接:https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=9672717
附件论文原文：
High external quantum efficiency green light emitting diodes on stress-manipulated AlNO buffer layer.pdf
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