证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成(688249)新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制作方法”，专利申请号为CN202510153323.2，授权日为2025年5月27日。
专利摘要：本公开涉及一种半导体结构及其制作方法，在第一沟槽的底部形成第一掺杂区之后，在第一掺杂区上形成具有倾斜侧壁的第一填充层，倾斜侧壁从第一沟槽的槽口向槽底逐渐延伸，向倾斜侧壁注入第一离子，在倾斜侧壁形成第二掺杂区，第二掺杂区从第一沟槽的槽口向槽底逐渐延伸，然后沉积第二填充层覆盖第二掺杂区并填充第一沟槽，在第二填充层的顶部形成第三掺杂区，然后热退火将第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区的第一离子向第一填充层、第二填充层中推进扩散，以在第一沟槽中形成半导体掺杂层，第二掺杂区增加了第一离子的扩散均匀性，半导体掺杂层的第一离子均匀分布，半导体掺杂层的整体电阻小，半导体结构的电性能更好。
今年以来晶合集成新获得专利授权150个，较去年同期增加了7.14%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。
数据来源：天眼查APP