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7月26-28日，江苏省第三代半导体研究院邀您参加在西安召开的2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛。CASICON 2023西安论坛

以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等为代表的第三代先进半导体器件是全球智能、绿色、可持续发展的重要支撑力量，其在光电子，射频

2023年7月26-28日，2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛将于西安召开。西安电子科技大学微电子学院在读博士研究生王逸飞

2023年7月26-28日，2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛将于西安召开。中国电子科技集团公司第十三研究所重点实验室副主

第三代半导体产业技术战略联盟标准T/CASAS 021202X《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）阈值电压测试方法》已完

氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等宽禁带半导体材料广泛用于信息化社会、人工智能、万物互联、现代农业、现代医疗、智能交通、国防

历时一年半，遵循第三代半导体产业技术创新战略联盟CASAS技术报告制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见等流程，技

随着新能源汽车的普及及5G的商用，量产新能源车型中搭载碳化硅（SiC）以及5G基站功放使用碳化硅基氮化镓，催生了碳化硅产业链从

苏州高视半导体技术有限公司邀您参加2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术论坛。2023年5月5-7日，2023碳化硅关键装备、

德智新材邀您参加2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术论坛。2023年5月5-7日，2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导

SiC、GaN功率电子器件拥有的优异特性，可以支撑新能源汽车、智慧能源、轨道交通、智能制造等新基建优势应用领域产业发展的迫切需

2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术发展论坛（CASICON 2023）尊敬的各有关单位：第三代半导体是实现双碳目标、东数西

近日，国际集成电路物理设计会议（International Symposium on Physical Design， ISPD）公布竞赛结果，复旦大学微电子学院教授

近日，五矿证券发布研究报告称，展望2023年，随着中国疫情政策逐步优化，宏观经济有望回暖，消费电子等下游需求有望触底反弹，伴

核心提示：半导体产业网讯：近日，武汉大学工业科学研究院袁超课题组在国际权威期刊《Journal of Applied Physics》上，以A review of ther

近日，美国物理联合会(American Institute of Physics)旗下的著名期刊《应用物理评论》（Applied Physics Reviews）在线发表了上

由工业和信息化部电子第五研究所牵头制定，遵循CASAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等

科友半导体宣布，以其自主设备和技术研发的6英寸SiC晶体在厚度上实现突破，达到32.146mm，业内领先。

在IGBT时代，门极电压的选择比较统一，无非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V这几档。而在新兴的SiC MOSFET领域，还未有约定俗成

据悉，长电科技今日在投资者互动平台表示，公司同时具备碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)芯片封装和测试能力，目前已在光伏和车用充电桩出货第三代半导体封测产品。