第三代半导体产业数字化公共服务平台

先进半导体产业大会（CASICON）是由极智半导体产业网主办，每年在全国巡回举办的行业综合活动。CASICON 系列活动以助力第三代半

士兰微子公司士兰集宏的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目已顺利完成钢桁架梁吊装，预计将在今年一季度实现封顶。

1月20日，北京晶飞半导体宣布，公司SiC激光剥离设备成功发运行业头部企业客户。资料显示，北京晶飞半导体成立于2023年，是一家专

北京晶飞半导体SiC激光剥离设备成功发运行业头部客户。

安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15亿美元现金收购Qorvo碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司United Silicon Car

其中芯联集成2024年的亮眼业绩，便是最典型的案例之一。

美国芯片制造商Wolfspeed已将其位于达拉斯郊外的得克萨斯州工厂挂牌出售。该工厂位于Farmers Branch，通过Loopnet以未披露的价格

近日，印度Indichip Semiconductors Limited与日本Yitoa Micro Technology Limited (YMTL) 携手合作，与安得拉邦政府签署了一份

科瑞半导体实施功率半导体产业链倍增计划，推进第三代半导体等功率器件封测产线的升级，于6月投资启动实施一期项目IGBT、SiC第三代半导体基础工艺封测产线建设，扩建半导体功率器件框架生产线，主要应用于充电桩、新能源汽车等领域。

天岳先进将继续秉持“先进 品质 持续”的理念，坚持自主创新，品质引领，为碳化硅行业的广阔发展贡献天岳力量。

“碳化硅功率器件及其封装技术 I”分会上，加拿大多伦多大学电气与计算机工程系教授吴伟东做了“SiC 功率 MOSFET老化检测智能栅极驱动器”的主题报告，分享了相关研究进展。

安森美（onsemi，纳斯达克股票代码：ON）宣布已与Qorvo达成协议，以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术

期间，“碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术”分会上，中微半导体设备（上海）股份有限公司工艺主任工程师陈丹莹做了“PRISMO PDS8 – 用于SiC功率器件外延生长的CVD设备”的主题报告，分享了基于CFD模拟的SiC刀具设计优化、AMEC PRISMO PDS8 SiC外延工艺结果等内容。

本研究提出了一种能够减轻高功率激光加工中热漂移问题的 4H-SiC 超透镜。

功率半导体测试系统解决方案创新领导者「忱芯科技（UniSiC）」近日宣布完成2亿元战略融资

期间“第三代半导体标准与检测研讨会”上，深圳平湖实验室失效分析首席专家何光泽做了“面向SiC/GaN功率器件失效分析的测试技术与典型应用”的主题报告，结合第三代半导体功率器件产业链与分析检测应用之关联，第三代半导体功率器件分析流程，具体介绍了无损分析，电性失效分析 – 缺陷定位，物性失效分析–结构与缺陷观察等内容。

论坛期间的“第四届车用半导体创新合作峰会”上，安世半导体中国区SiC战略及业务负责人王骏跃，株洲中车时代电气股份有限公司中车科学家、功率半导体与集成技术全国重点实验室副主任刘国友，杭州士兰微电子股份有限公司功率系统应用技术高级经理朱晓慧，广东芯聚能半导体有限公司总裁周晓阳，英飞凌科技（中国）有限公司主任工程师张浩，长城汽车投资总监耿伟等专家们齐聚分享精彩报告，共同探讨新的发展趋势下，车用半导体创新合作发展。

2024年11月19日，在第十届国际第三代半导体论坛（IFWS）开幕式上，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）（以下简称联盟）正

天科合达官微宣布，公司“第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目”开工仪式在北京顺利举行。

纳微半导体今日发布全球首款8.5kW AI数据中心服务器电源，其采用了氮化镓和碳化硅技术的混合设计，实现了>97.5%的超高效率，完美适配AI和超大规模数据中心。