第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)&第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)将于2023年11月27-30日于厦门国际会议中心召开。目前论坛征文活动进入尾声阶段,论文扩展摘要&全文提交将于10月20日截至。请有意愿投稿者务必尽早提交。
第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)&第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)将于2023年11月27-30日于厦门国际会议中心召开。组委会结合高校院所实际情况,积极采纳专家学者的建议,以及各高校学生投稿时间的需求,决定将论文扩展摘要&全文提交截止日期延至10月20日。请有投稿意愿的投稿者务必于截止日前提交论文摘要。
9月19日,以半导体设备与新材料为主题的产学研对接会在北京大学东莞光电研究院(下称北大光电院)召开。来自激光器、Micro LED、
9月15日,东科半导体(安徽)股份有限公司与北京大学共同组建的第三代半导体联合研发中心正式揭牌成立。由北京大学科学研究部谢
走进光子信息与能源材料研究中心(以下简称研究中心),一台台先进增材制造的中小试设备正高效运行,而在不久的将来该研究中心先
9月6-8日,三安半导体携碳化硅全产业链产品亮相SEMICONTaiwan2023,成功吸引行业关注,展示公司在第三代半导体研发和商业化进程
9月6日,第三代半导体产业创新发展大会在南京市江宁开发区举行。国家第三代半导体技术创新中心(南京)一期项目竣工投产。国家第
走进第三代半导体产业链链主企业山西烁科晶体有限公司小晶片释放大能量一排排3米多高的碳化硅单晶生长设备整齐排列,设备内部超
9月2日),苏州工业园区在桑田科学岛举办国家生物药技术创新中心、国家第三代半导体技术创新中心(苏州)总部大楼开工仪式。江苏
该项目总投资预计超过200亿元,其中项目一期总投资100亿元,可年产36万片SiC MOSFET晶圆,包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。
半导体照明网消息:第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)将于2023年11月27-30日于厦
以氮化镓、碳化硅等为代表的第三代半导体材料正迎来广阔的发展前景,成为全球的机会和关注焦点。碳化硅作为第三代半导体产业发展
半导体产业网消息,第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)将于2023年11月27-30日于厦
新科技时代背景下,人工智能、能源环保、自动驾驶等需求驱动下,以氮化镓、碳化硅等为代表的第三代半导体材料迎来广阔的发展前景
为培育和推动盘锦市第三代半导体产业发展新动能,盘锦高新技术产业开发区管理委员会与中关村半导体照明工程研发及产业联盟拟定于
半导体产业网消息:第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)将于2023年11月27-30日于厦
为培育和推动盘锦市第三代半导体产业发展新动能,盘锦高新技术产业开发区管理委员会与中关村半导体照明工程研发及产业联盟拟定于
中国第三代半导体功率器件领先品牌派恩杰半导体正式宣布完成新一轮战略融资,投资方为东风汽车旗下直投平台东风资管。
半导体产业网消息:第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)将于2023年11月27-30日于厦
近日,2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)指导,西安交通
推荐
- 1
IFWS 2022前瞻:超宽禁带及其他新型半导体材料与器件技术分会日程公布
9363
- 2
众星云集!化合物半导体激光器技术分论坛最新日程出炉——IFWS&SSLCHINA2022前瞻
6496
- 3
IFWS 2022前瞻:氮化物衬底材料生长与外延技术分会日程出炉
2891
- 4
27位演讲嘉宾公布!2024功率半导体器件与集成电路会议4月26-28日成都见!
2547
- 5
济南宽禁带半导体小镇一期项目基本完成 未来将形成千亿级产业集群
2523
- 6
第三代半导体六英寸氮化镓项目落户广西桂林
2515
- 7
总投资30亿美元,梧升半导体IDM项目签约
2455
- 8
泉州半导体高新区全力推动园区高质量发展
2436
- 9
第三届紫外LED国际会议将于11月14-16日在山西长治召开
2400
热门
- 1
特朗普:对华关税145%到顶了,要降
11
- 2
星曜半导体完成收购韩国威盛旗下天津封测工厂
11
- 3
总投资约60亿,芯核集群先进封装项目落地萧山经开区
10
- 4
CSPSD 2025前瞻| 中国科学院上海微系统所程新红:宽禁带半导体3D集成技术
9
- 5
CSPSD 2025前瞻|西安电子科技大学宋庆文:高性能SiC功率器件关键技术研究进展
10
- 6
CSPSD 2025前瞻| 西安电子科技大学赵胜雷:GaN HEMT器件击穿机理多维度分析与探讨
13
- 7
英飞凌推出SiC沟槽型超结(TSJ)技术
13
- 8
AI驱动产业创新,从材料/器件到EDA/设备的多维探索
14
- 9
CSPSD 2025前瞻|江南大学黄伟:高性能宇航级SGT功率器件与辐照模型研究
18