第三代半导体产业数字化公共服务平台

1月10日，杰立方半导体（香港）有限公司（以下简称杰立方）在大湾区（深圳）工商界高峰论坛及交流会2025上，与香港工业总会（FHK

天眼查显示，深圳基本半导体有限公司碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法专利公布，申请公布日为2024年11月29日，申请公布号为

天眼查显示，派恩杰半导体（浙江）有限公司基于S参数的数据处理方法、装置及电子设备专利公布，申请公布日为2024年11月15日，申

该调查将初步评估中国的行为、政策和做法对碳化硅衬底或其他用作半导体制造投入的晶片生产的影响。

国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为碳化硅衬底及其制备方法、半导体器件、电子设备的专利，公开号 CN 119153

武汉金信新材料有限公司（以下简称“金信新材料”）芯片用第三代半导体8英寸碳化硅晶锭项目完成研发，通过了行业专家验证

半导体产业网获悉：近日，根据破产资讯网披露的《北京世纪金光半导体有限公司管理人公开选聘审计、评估机构的公告》显示，北京市

天岳先进与您共探SEMICON Japan 2024科技之旅！

天岳先进将继续秉持“先进 品质 持续”的理念，坚持自主创新，品质引领，为碳化硅行业的广阔发展贡献天岳力量。

“碳化硅功率器件及其封装技术 I”分会上，加拿大多伦多大学电气与计算机工程系教授吴伟东做了“SiC 功率 MOSFET老化检测智能栅极驱动器”的主题报告，分享了相关研究进展。

合肥赛美泰克科技有限公司在新站高新区开业运营。

安森美（onsemi，纳斯达克股票代码：ON）宣布已与Qorvo达成协议，以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术

江苏超芯星半导体有限公司近日完成了新厂房的整体搬迁

“碳化硅功率器件及其封装技术 I”分会上，专家们齐聚，共同探讨碳化硅功率器件及其封装技术的发展。

期间，“碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术”分会上，中微半导体设备（上海）股份有限公司工艺主任工程师陈丹莹做了“PRISMO PDS8 – 用于SiC功率器件外延生长的CVD设备”的主题报告，分享了基于CFD模拟的SiC刀具设计优化、AMEC PRISMO PDS8 SiC外延工艺结果等内容。

”碳化硅功率器件及其封装技术 I“上，江苏博睿光电股份有限公司副总经理梁超做了”功率器件封装用的高性能AlN陶瓷基板及金属化技术“的主题报告。分享了面向功率器件封装用陶瓷基板的发展现况，以及博睿陶瓷基板研究进展等内容。

天岳先进携全系列碳化硅衬底产品精彩亮相，并隆重发布了行业领先的300mm碳化硅衬底产品。

天科合达官微宣布，公司“第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目”开工仪式在北京顺利举行。

上海林众电子科技有限公司智能质造中心启用仪式在车墩镇举行。

纳微半导体今日发布全球首款8.5kW AI数据中心服务器电源，其采用了氮化镓和碳化硅技术的混合设计，实现了>97.5%的超高效率，完美适配AI和超大规模数据中心。