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8月10日-13日，我国宽禁带半导体领域的行业盛会——第六届全国宽禁带半导体学术会议将在大连举办。润新微电子将携最新产品方案亮相本次学术盛会，诚挚邀请行业专家学者、业界同仁交流与探讨。

为推动我国宽禁带半导体领域的发展，促进产学研交流与协同创新，中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会、中国电子学会电子材料

邀请函 | 矢量集团邀您参加第六届全国宽禁带半导体学术会议

北京大学在IEEE ISPSD发表2项宽禁带半导体功率器件重要技术进展！

2025年8月10日-13日，我国宽禁带半导体领域的行业盛会——第六届全国宽禁带半导体学术会议将在大连举办。

【邀请函】科利德邀您共赴第六届全国宽禁带半导体学术会议

由宽禁带半导体国家工程研究中心主办，InSemi Research、协创微半导体联合承办，碳化硅芯观察协办，功率半导体行业联盟、高端芯片产业创新发展联盟、无锡市半导体行业协会、无锡市集成电路学会协办的“功率器件制造测试与应用大会(第三届IPF 2025)”将于2025年8月21-22日在中国无锡盛大启幕。

近日，北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、宽禁带半导体研究中心、人工微结构和介观物理全国重点实验室、纳光电子前沿科学中心唐宁、沈波团队和北京理工大学物理学院段俊熙团队合作在原子级薄六方氮化硼的能带结构研究上取得重要进展。

8月10日-13日，第六届“全国宽禁带半导体学术会议”将于大连举办。

西安电子科技大学集成电路学部郝跃教授团队张进成教授、宁静教授联合武汉大学何军教授团队在宽禁带半导体材料领域取得突破性进展

近日，一项关于范德华外延高质量超薄氮化物半导体材料的研究成果发表于《Advanced Materials》，该研究由武汉大学何军教授团队与西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授、宁静教授合作完成，武汉大学文耀副研究员与西安电子科技大学宁静教授与为论文共同第一作者，何军教授、张进成教授为论文共同通讯作者。

第六届全国宽禁带半导体学术会议征文&报名火热进行中！

一、课题组介绍厦门大学宽禁带半导体研究组依托国家集成电路产教融合创新平台、教育部微纳光电子材料与器件工程研究中心、福建省

第六届全国宽禁带半导体学术会议将于8月10日-13日在大连举办！

深圳平湖实验室超宽禁带半导体ZHANG Daohua、万玉喜团队和北京大学沈波教授及南方科技大学宋爱民教授团队合作，成功制备了国内首个氮化铝为垒层、富铝镓氮为沟道的 高电子迁移率晶体管（HEMT）功率器件。

中国氧化镓衬底领域领先企业镓仁半导体与德国氧化镓外延头部企业NextGO.Epi 签署全球战略合作协议，双方将依托技术优势协同攻关，聚焦超宽禁带半导体材料氧化镓的研发与产业化，此次强强联合将共同推动氧化镓在新能源、电力电子等领域的应用突破，为全球半导体产业注入新动能。

5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。届时，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员程新红将受邀出席论坛，并带来《宽禁带半导体3D集成技术》的主题报。报告将围绕材料异质集成、器件3D集成与功能模块3D集成三大方向展开分析，分享最新研究成果，敬请关注！

近期，宽禁带半导体国家工程研究中心郝跃院士、马晓华教授团队在氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）领域取得重要突破，成

氮化镓（GaN）晶体作为第三代宽禁带半导体的代表性材料，具有带隙宽、击穿电压高、热导率高、抗辐射能力强等优异性能，在蓝绿激

宽禁带半导体具有稳定的光电特性和高效的紫外光吸收能力，是紫外（UV）光电探测器的理想材料。然而，基于纯宽禁带半导体的光电探