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中国电科第四十八研究所自主研发的40台SiC外延炉成功Move in。

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北京大学教授于彤军做了“大尺寸AlN单晶生长研究”的主题报告，分享了SiC上AlN异质PVT生长的形貌控制和2-4英寸AlN同质PVT生长的最新研究进展。

自8月首批沟槽型MOSFET器件晶圆下线以来，九峰山实验室持续攻克碳化硅工艺技术难关。近日，实验室在碳化硅超结领域取得新进展：

阳光电源高级工程师，中央研究院光储中小功率业务主管王昊做了”碳化硅功率器件在新能源领域的应用和挑战“的主题报告，分享了SiC器件在新能源行业应用的机遇、挑战，以及SiC器件在阳光电源应用的实践等内容。

热管理在当代电子系统中至关重要，而金刚石与半导体的集成提供了最有前途的改善散热的解决方案。然而，开发一种能够充分利用金刚

包含中国一汽在内的27家创新联合体共建单位共同签署固态电池产业创新联合体。

近日，在国网嘉兴供电公司数智能源运营中心，工作人员下发柔性调控指令后，平湖市新仓镇新仓社区芦川花苑二期16号公变全部光伏客

近日，芯塔电子自主研发的1200V/80mΩTO-263-7封装 SiC MOSFET器件成功获得第三方权威检测机构（广电计量）全套AEC-Q101车

2023年11月28日，经CASAS管理委员会第二届第二次会议决议，CASAS正式成立SiC功率器件与模块工作组、 GaN功率器件与模块工作组。S

世界500强企业贺利氏（Heraeus）近日收购了SiC衬底供应商Zadient的多数股份。作为德国高科技材料企业，贺利氏认为SiC衬底市场具

随着5G、碳中和、AI时代的来临，芯片市场需求激增，以砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等为代表的化合物半导体市场

香港科技园公司与微电子企业杰平方半导体签署合作备忘录 共同推动香港微电子产业发展10月13日 - 由创新科技及工业局和引进重点企

9月6-8日，三安半导体携碳化硅全产业链产品亮相SEMICONTaiwan2023，成功吸引行业关注，展示公司在第三代半导体研发和商业化进程

9月6日，第三代半导体产业创新发展大会在南京市江宁开发区举行。国家第三代半导体技术创新中心（南京）一期项目竣工投产。国家第

该项目总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。

今年第二季度，国际半导体产业协会（SEMI）正式发布了碳化硅半导体外延晶片全球首个SEMI国际标准《4H-SiC同质外延片标准》（Spec

日前，三安光电公布了2023年半年报，报告期内整体营收约64.69亿元，同比下降4.33%；归属于上市公司股东的净利润1.7亿元，同比下

2023年7月26-28日，2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指

功率与光电半导体器件的设计与集成应用在提高能源利用效率、推动通信技术进步、促进科学研究和医疗技术革新等方面发挥着至关重要