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佳能7月30日开设了其21年来首家芯片制造设备工厂，希望借人工智能（AI）热潮，抢占光刻机市场。新工厂是佳能位于东京北部城市宇

联发科30日举行法说，释出未来展望，执行长蔡力行指出，持续深化AI芯片战略，首批2nm芯片9月试产。

汶上县举行氮化镓半导体智能制造项目暨芯片综合配套项目签约仪式。

由宽禁带半导体国家工程研究中心主办，InSemi Research、协创微半导体联合承办，碳化硅芯观察协办，功率半导体行业联盟、高端芯片产业创新发展联盟、无锡市半导体行业协会、无锡市集成电路学会协办的“功率器件制造测试与应用大会(第三届IPF 2025)”将于2025年8月21-22日在中国无锡盛大启幕。

7月21日下午，姜堰高新区举行项目签约仪式，现场成功签约总投资10亿元的成都芯盟微半导体芯片封装项目，以及总投资5亿元的半导体

苏州纳米所秦华团队提出并研制了一种基于氮化镓肖特基二极管(GaN SBD)的无源太赫兹相控阵芯片原型，工作频率为0.32 THz，阵列规模为32 × 25。本项研究工作为6G“通感一体化”的氮化镓基太赫兹器件解决方案提供了新思路。

盛美半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称盛美上海）（科创板股票代码：688082），作为一家为半导体前道和先进晶圆级封装应

欧洲芯片巨头意法半导体（STMicroelectronics，STMPA.PA）于当地时间周四宣布，将以现金形式收购恩智浦半导体（NXP Semiconductors，NXPI.O）旗下传感器业务部门

姜堰高新区举行项目签约仪式，现场成功签约总投资10亿元的成都芯盟微半导体芯片封装项目和总投资5亿元的半导体真空泵及配件项目。

近日，河北工业大学、广东工业大学楚春双副教授、张勇辉教授、张紫辉教授团队联合中国科学院半导体研究所闫建昌研究员团队，在深紫外发光二极管（DUV LED）效率提升方面取得重要进展。他们创新性地提出并实现了“光子辅助空穴再生器”结构，成功将原本无法逸出芯片的紫外光子转化为可利用的空穴。

中科无线半导体发布氮化镓（GaN）新一代ASIC智能快充芯片（包括：CT-3602、CT1020、CT1007与CT-1901）四个型号，通过ASIC芯片+Ga

日本芯片制造商Rapidus斥资340亿美元的2nm芯片项目已宣布启动测试生产，预计2027年正式进入量产阶段。

7月17日，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件和芯片方案提供商瞻芯电子在浙江义乌晶圆厂(Yfab)隆重举办主题为创芯八载，无限热爱的8

由北京大学、中国人民大学科研人员组成的研究团队历经四年攻关，首创一种“蒸笼”新方法，首次在国际上成功实现高质量硒化铟材料的晶圆级集成制造，并研制出核心性能超越3纳米硅基芯片的晶体管器件。

7月16日，兆驰股份旗下孙公司江西兆驰集成举办光通激光外延与芯片产品线通线仪式。据悉，兆驰集团于2024年12月20日宣布投建年产1

重庆奥松半导体特色芯片产业基地迎来重大里程碑：其8英寸生产线首台光刻机设备在众人瞩目下平稳进场。

依托中国科学院苏州纳米所建设的半导体显示材料与芯片重点实验室与苏州实验室合作，近日研制出GaN基光子晶体面发射激光器，并实现了室温电注入激射。

7月7日，国家发展改革委办公厅等四部门发布《关于促进大功率充电设施科学规划建设的通知》。进一步优化完善我国充电设施网络布局

近日，北方华创正式发布SICRIUS PY302系列12英寸低压化学气相硅沉积立式炉设备。该设备面向高端逻辑芯片与存储芯片领域非晶硅、

根据天眼查 APP 数据显示晶合集成（688249）新获得一项实用新型专利授权，专利名为一种半导体芯片的测试装置 ，专利申请号为 CN2