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碳化硅功率器件及其封装技术分会日程出炉，聚焦前沿趋势，敬请期待！

晶盛机电（300316）11月4日发布投资者关系活动记录表，公司于2024年11月1日接受3家机构调研，机构类型为其他、海外机构。 投资者

“碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术分会”日程出炉，敬请关注！

国家知识产权局信息显示，上海汉虹精密机械有限公司申请一项名为一种单晶炉碳化硅炉专用的KF40电动蝶阀的专利，公开号 CN 118881

国家知识产权局信息显示，山东粤海金半导体科技有限公司取得一项名为种专用的碳化硅衬底Wafer倒角装置的专利，授权公告号CN 2218

PVT单晶生长设备、HVPE单晶生长设备、碳化硅高温氧化设备11年，11款产品。经过10多年的发展，山东力冠微电子装备有限公司已成为

晶驰机电生产基地项目总投资2亿元晶驰机电是浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院孵化企业

国家知识产权局信息显示，江苏集芯先进材料有限公司申请一项名为大尺寸碳化硅晶体生长坩埚及生长装置的专利，公开号CN 118756340

晶盛机电在回答投资者提问时表示，是一家国内领先的专注于先进材料、先进装备的高新技术企业。在先进装备领域，公司光伏装备取得

张北县年产8亿件高端碳化硅半导体研发基地项目建设“不打烊”。

PowerAmerica执行董事兼首席技术官Victor Veliadis将出席论坛并做大会报告，分享“加速碳化硅芯片和功率电子的商业化进程”，并将在专题技术分会上，继续分享“在硅晶圆厂中制造SiC”的研究成果。

中电四公司成功中标北京天科合达半导体股份有限公司“第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目（1#生产厂房等12项）”，中标金额：1159022898.60元。

天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为一种提高可靠性能力的碳化硅二极管及其制备方法，公开号 CN2

9月5日，中国电科在官微透露，中国电科48所自主研发的8英寸碳化硅外延设备关键技术再次获得突破。据悉，此次全新升级的8英寸碳化

国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时 4 年自主研发，成功攻关沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造关键技术，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，实现我国在该领域的首次突破。

导体项目、安力科技第三代半导体及大硅片衬底研磨液项目、全芯微电子半导体高端设备研发制造基地项目、辽宁恩微芯片封装测试项目、雅克科技球形硅微粉、球形氧化铝项目，日本航空电子高端电子元器件项目、露笑科技第三代功率半导体（碳化硅）产业园项目和大尺寸碳化硅衬底片研发中心项目迎来新进展。

天眼查显示，瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司近日取得一项名为一种降低碳化硅外延片生长缺陷的方法及碳化硅衬底的专利，授

业内人士表示，预计未来两年中国碳化硅（SiC）芯片价格将下降高达30%。

7月25日，北京经济技术开发区（北京亦庄）碳化硅功率芯片IDM企业北京芯合半导体有限公司（以下简称芯合半导体）发布自主研发生产

5月31日，欧盟委员会批准意大利政府对意法半导体总计20亿欧元的补贴计划，用于一项总投资50亿欧元的碳化硅微芯片制造工厂。这是