第三代半导体产业数字化公共服务平台

10月22日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由广东工业大学

10月22日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由广东工业大学

10月22日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由广东工业大学

苏州东微半导体股份有限公司（“东微半导体”，证券代码：688261）与苏州晶湛半导体有限公司（“晶湛半导体”）于10月17日联合宣布，双方已达成战略合作，共同推进12英寸氮化镓技术与产品的研发与应用。

最新报告出炉！IFWS2025:氮化镓功率电子及封装技术论坛——驱动能效革命，赋能AI芯动力

11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于厦门召开。 届时，浙江航芯源集成电路科技有限公司/研发总监吕晓峰将受邀出席论坛，并带来《功率氮化镓器件在宇航电源领域的机遇与挑战》的主题报告，敬请关注！

11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于厦门召开。届时，名古屋大学助理教授（YLC-designated）王嘉将受邀出席论坛，并带来《通过镁插层增强氮化镓中的P型掺杂、接触性能和器件性能》的主题报告，敬请关注！

11月11-14日，IFWS&SSLCHINA2025将于厦门召开。 届时，山东大学集成电路学院教授刘超将受邀出席论坛，并在Short course培训课程中分享《垂直氮化物功率器件》的主题报告，全面介绍基于垂直氮化镓和氮化铝镓的功率器件最新研发进展。敬请关注！

11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于厦门召开。 届时，大连理工大学教授黄火林将受邀出席论坛，并带来《氮化镓高压增强型功率器件与可靠性技术进展》的主题报告，敬请关注！

电子科技大学微波毫米波集成电路团队报道了一款基于碳化硅/聚对二甲苯（SiC/Parylene）衬底的异质集成柔性氮化镓（GaN）射频功率放大器。

上海大学张建华教授、任开琳副教授团队与晶湛半导体合作，在基于GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)的驱动/发光/探测单片集成器件方面取得重要研究进展。

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”于昆明召开。“锗及化合物半导体晶体材料”分论坛围绕锗、氮化镓、碳化硅衬底外延、材料制备、工艺优化等主题，来自产业链相关专家、高校科研院所及知名企业二十余位代表共同深入探讨，追踪最新进展。

山东镓数智能科技有限公司的氮化镓单晶衬底项目已全面达产。

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时，山东大学新一代半导体材料研究院教授张雷将出席会议，并带来《大尺寸氮化镓和氮化铝晶体生长研究新进展》的主题报告，敬请关注！

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时，南京大学教授修向前受邀将出席会议，并带来《氮化镓衬底生长工艺及设备技术研究》的主题报告，敬请关注！

英诺赛科宣布第三代700V GaN增强型氮化镓功率器件系列全面上市。该系列凭借更小尺寸、更快开关速度、更高效率的显著优势，在关键性能指标上实现突破性进展，为电源系统设计树立新标杆。

高性能氮化镓（GaN）金属氧化物半导体（MOS）晶体管离不开具有低界面态和低漏电流的高质量MOS结构。然而，与SiO2/Si体系相比，氧

由苏州晶湛半导体有限公司牵头制定，遵循CASAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程，

山东大学和华为技术有限公司在中国使用氟（F）离子注入端接（FIT）在全垂直氮化镓（GaN）硅基硅（Si）沟槽金属氧化物半导体场效

随着无线通信技术的发展，太赫兹波因超宽带、高定向性和高分辨率等优势，成为6G通信的重要频谱资源。然而，频率升高带来的路径损