清华大学罗毅院士课题组与安徽格恩半导体有限公司合作,通过深入研究GaN同质外延过程中的位错控制、InGan/GaN多量子阱的应力调控以及腔面镀膜技术,制备了高效的GaN蓝光激光二极管。
“氮化镓射频电子器件与应用”技术分会上,香港科技大学高通光学实验室主任、教授、高武半导体(香港)有限公司创始人俞捷,小米通讯技术有限公司高级硬件研发工程师孙跃,中国科学技术大学微电子学院教授、安徽云塔电子科技有限公司创始人左成杰,西安电子科技大学教授薛军帅,深圳市汇芯通信技术有限公司、国家5G中高频器件创新中心副总经理、CTO许明伟,苏州能讯高能半导体有限公司研发总监张新川,中国科学院半导体研究所副研究员张连,九峰山实验室熊鑫,江南大学集成电路学院博士刘涛,中国科学院微电子研究所张国祥等嘉宾们带来精彩报告
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