第三代半导体产业数字化公共服务平台

随着硅半导体材料主导的摩尔定律逐渐走向其物理极限，以第三代半导体为代表的化合物半导体满足光电子、微波射频和高效功率电子等

7月14日，北京市经济和信息化局发布了工业和信息化部组织的第五批专精特新小巨人企业公示名单，243家企业上榜。从名单来看，不少

以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等为代表的第三代先进半导体器件是全球智能、绿色、可持续发展的重要支撑力量，其在光电子，射频

2023年7月26-28日，2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛将于西安召开。西安电子科技大学微电子学院在读博士研究生王逸飞

GaN基HEMTs因其在高压、大功率、高温等领域的应用前景而备受关注。由于GaN的宽禁带和高击穿场强，Gan基器件可以提供更快的开关速

据悉，近日，《科学通报》以《模块化局域元素供应技术批量制备12英寸过渡金属硫族化合物》为题，在线发表了松山湖材料实验室/北

2023年7月26-28日，2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛将于西安召开。中国电子科技集团公司第十三研究所重点实验室副主

近几年新能源车的爆发，极大地促进了IGBT市场的发展。随着全球电动车的销量提升，新能源汽车的不断普及，对于充电桩的需求日益增

随着硅半导体材料主导的摩尔定律逐渐走向其物理极限，以第三代半导体为代表的化合物半导体满足光电子、微波射频和高效功率电子等

第三届紫外LED国际会议暨LED产业发展推进大会(中国长治)将于9月5-7日召开。本届论坛由长治市人民政府、中关村半导体照明工程研发

近日，中国电科43所活性金属钎焊（AMB）基板一体化封装先进工艺实现了电路、布线、封装等多项技术升级，相关技术指标达到国际先

第三代半导体产业技术战略联盟标准T/CASAS 021202X《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）阈值电压测试方法》已完

【超38亿元A轮股权融资创历史】近日，安徽长飞先进半导体有限公司正式宣布完成超38亿元A轮股权融资，融资规模创国内第三代半导体

随着电力电子应用领域的不断扩大和需求的增长，绝缘栅双极型晶体管（简称IGBT）作为功率电子器件的核心之一，是能源变换与传输的

近日，同济大学第四代半导体氧化镓材料项目落地江苏省无锡市高新区。据悉，同济大学第四代半导体氧化镓材料项目利用同济大学在晶

2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛将于7月26-28日在西安召开。

7月19-21日，由江苏省工业和信息化厅、南京江北新区管理委员会主办的2023世界半导体大会暨南京国际半导体博览会，将亮相南京国际

2023年6月8日，元旭半导体天津生产基地开工活动于天津滨海高新区顺利举行。

近日，中国科大微电子学院两篇论文入选第35届功率半导体器件和集成电路国际会议（IEEE ISPSD，全称：IEEE International Symposi

绿色低碳发展、万物智能互联成为全球共识，第三代半导体是推动新能源汽车、智能电网、先进制造、移动通信、新型显示等产业创新发