第三代半导体产业数字化公共服务平台

化合物半导体已成为许多行业谋求变革的关键，在许多应用领域都展现出了巨大的潜力，未来10年将对国际半导体产业格局的重塑产生至

前瞻布局，九峰山实验室建立异质集成先进键合能力。

基于SiC单晶制备的功率器件具有耐高温、低损耗、耐高压等优良性能，能够满足电力电子系统的轻量化、高效率和小型化的需求，在新

实力对决，巅峰之战。经过20天的激烈角逐，2023年度华强电子网优质供应商电子元器件行业优秀国产品牌评选公众投票阶段暂告一段落

华为与东风汽车集团旗下的高端智慧电动汽车品牌岚图正式签署战略合作协议。

这个问题促使香港科技大学和中国其他三所机构的16名研究人员组成的团队不断思考。经过多年努力，他们终于成功制造出一种晶体管，他们称之为混合场效应晶体管（HyFET）。

今日，意法半导体在官微宣布，公司与聚焦于碳化硅（SiC）半导体功率模块和先进电力电子变换系统的中国高科技公司致瞻科技合作，

国家第三代半导体技术创新中心（南京）牵头7家高等院校、科研院所和龙头企业共同组建的江苏省碳化硅电力电子技术创新联合体成功入选

江西南昌大力推动硅衬底发光二极管蓝光技术开发应用。

中科潞安作为深紫外一体化消毒杀菌解决方案供应商，一直致力于研发深紫外核心技术并开发深紫外中高端产品。

近日，北京市人力资源和社会保障局发布《北京市集成电路专业职称评价试行办法》，新增设集成电路专业职称，畅通集成电路专业技术

目前全球第三代半导体行业处于起步阶段，并正在加速发展。我国在第三代半导体领域进行了全产业链布局，各环节均涌现出具有国际竞争力的企业。

自8月首批沟槽型MOSFET器件晶圆下线以来，九峰山实验室持续攻克碳化硅工艺技术难关。近日，实验室在碳化硅超结领域取得新进展：

天岳先进12月11日发布投资者关系活动记录表，公司于2023年12月8日接受40家机构调研，机构类型为QFII、保险公司、其他、基金公司

近日，苏州中科重仪半导体材料有限公司（以下简称中科重仪）自主研发的应用于电力电子领域的大尺寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延

12月6日，博世与苏州工业园区签署扩大产业合作协议。博世自1999年布局苏州以来，持续加大投资力度。今年3月，博世投资10亿美元在

晶体管是三端电子器件，其发展的主要动力是由摩尔定律主宰的微缩技术：通过使晶体管尺寸越来越小，越来越多的晶体管可以被制造到

材料的更替是现代科技进步的根本推动力。作为第三代半导体材料，立方氮化硼（c-BN）具有仅次于金刚石的硬度，在高温下良好的化学

半导体材料是信息技术产业的基石，氧化镓（Ga2O3）是潜力新星超宽带隙材料，Ga2O3 是大功率、高效率、特高压器件的理想选择。也

未来显示产品形态多样，功能要求严格，具有高度集成潜力的Mini/Micro LED显示技术脱颖而出。MicroLED可用作光电探测器来接收外部