晶体管是三端电子器件,其发展的主要动力是由“摩尔定律”主宰的微缩技术:通过使晶体管尺寸越来越小,越来越多的晶体管可以被制造到同一芯片中,从而可以实现更复杂的功能。然而,随着沟道长度进一步的缩短至10 nm工艺节点以下,微缩技术逐渐显示出了越来越多难以克服的问题。其中最显著的就是栅极电场对硅沟道的调控性能开始弱化,导致无法避免的短道效应和巨大的关态能耗。

晶体管是三端电子器件,其发展的主要动力是由“摩尔定律”主宰的微缩技术:通过使晶体管尺寸越来越小,越来越多的晶体管可以被制造到同一芯片中,从而可以实现更复杂的功能。然而,随着沟道长度进一步的缩短至10 nm工艺节点以下,微缩技术逐渐显示出了越来越多难以克服的问题。其中最显著的就是栅极电场对硅沟道的调控性能开始弱化,导致无法避免的短道效应和巨大的关态能耗。
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