Micro-LED是未来显示技术最重要的发展方向之一，MicroLED技术具有响应时间快、亮度高、色彩饱和度高等优势，但是需要解决制造工艺上的问题和成本问题。MicroLED技术已经取得了一些进展，但其制造难度和成本依然很高，需要进一步降低生产成本并提高量产效率。同时，需要不断探索新的IC设计和封装技术，以实现更好的光电转换效率。
2023年11月27-30日，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）于厦门国际会议中心召开。本届论坛由厦门市人民政府、厦门大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办，厦门市工业和信息化局、厦门市科学技术局、厦门火炬高新区管委会、惠新(厦门)科技创新研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。
27日，“Mini/Micro-LED及其他新型显示技术分会”如期举行，本届分会得到了三安光电股份有限公司、纳微朗科技（深圳）有限公司、中微半导体设备（上海）股份有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、广东晶科电子股份有限公司、深圳市大族半导体装备科技有限公司的协办支持。
会上，北京工业大学教授郭伟玲带来了“MicroLED的尺寸效应与高色彩转换效率”的主题报告，分享了Micro LED的尺寸效应、提高MicroLED的发光和颜色转换效率、无源矩阵（PM）的设计和制造，有源矩阵（AM）的设计和制造等研究成果。
报告指出，三种MicroLED尺寸效应上，对于小型微型LED，所有ITO P电极都显著提高了光功率，尽管电性能有所下降；与照明尺寸相等的ITO面积是MicroLED的更好选择；在大电流下，方形MicroLED的辐射通量比圆形的要好，因为它们的周长与面积比更高。
利用纳米材料和结构提高微型LED的发光和颜色转换效率，LSP使纳米孔阵列微型LED的PL增加1.6倍；具有石墨烯电极的纳米柱阵列微型LED上的LSP使PL增加84%，EQE增加36%；
与平面型相比，纳米孔阵列上的NRET将颜色转换效率提高了118%。研究设计并制作了无源矩阵。测量并分析了不同位置像素的性质。设计制作了有源矩阵。
（备注：以上信息仅根据现场整理未经嘉宾本人确认，仅供参考！）