2025年8月10日-13日，我国宽禁带半导体领域的行业盛会——第六届全国宽禁带半导体学术会议将在大连举办。大会由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会、中国电子学会电子材料学分会共同主办，大连理工大学、东北师范大学和第三代半导体产业技术创新战略联盟联合承办。
本届大会设置开闭幕大会，材料生长、材料物性与辐照测试、光电子器件及其应用、电子器件及其应用、新型宽禁带材料与器件5个平行分会，来自国内宽禁带半导体领域学术界、产业界的专家学者、科研技术人员、院校师生、企业家代表等，将围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛交流，促进产学研用的交流合作。这次会议必将对我国宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步、产业发展起到有力的推动作用。
会议时间：2025年8月10日-13日
会议地点：中国·大连
主办单位：
中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会
中国电子学会电子材料学分会
承办单位：
大连理工大学
东北师范大学
第三代半导体产业技术创新战略联盟
协办单位：
集成光电子全国重点实验室
宽禁带半导体超越照明材料与技术全国重点实验室
国家第三代半导体技术创新中心（苏州）
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
一、组织机构
名誉主席：甘子钊、王占国、郑有炓
顾问委员会（按姓氏首字母排序）：褚君浩、杜国同、顾 瑛、关白玉、郝 跃、黄 如、贾明星、江风益、李爱珍、李晋闽、李树深、刘纪美、刘 明、刘 胜、罗 毅、申德振、孙祥桢、王立军、许宁生、杨德仁、叶志镇、俞大鹏、张国义、张 荣、张 跃、郑婉华
大会主席：刘益春
共同主席：沈 波、杨 辉、吴 玲
程序委员会
主 席: 徐 科
副主席：黎大兵、张源涛、朱嘉崎
委 员（按姓氏首字母排序）：敖金平、蔡树军、陈长清、陈敦军、陈 弘、陈 敬、陈堂胜、陈万军、陈小龙、陈秀芳、程 凯、迟 楠、单崇新、丁琪超、董博宇、冯士维、冯志红、顾书林、贺东江、黄伯宁、黄 丰、黄 凯、康俊勇、赖占平、李国强、梁 建、刘 斌、刘国友、刘建平、刘木清、刘 榕、刘斯扬、刘新宇、刘 扬、龙世兵、陆 海、罗小蓉、马晓华、毛 维、欧 欣、潘 毅、裴 轶、彭俊彪、皮孝东、邱宇峰、盛 况、孙 钱、孙伟锋、孙小卫、孙晓娟、唐 宁、陶绪堂、万成安、万玉喜、汪 莱、王德君、王 钢、王宏兴、王建峰、王江波、王军喜、王来利、王 立、王新强、吴毅锋、肖国伟、徐海阳、徐士杰、徐现刚、许福军、薛玉雄、闫建昌、杨富华、叶建东、伊晓燕、于洪宇、云 峰、张保平、张 波、张国旗、张进成、张金风、张 龙、张乃千、张清纯、郑雪峰、张玉明、赵德刚、赵丽霞、郑晨焱
组织委员会
主 席: 梁红伟
副主席：陈志涛、阮军、张书明
委 员（按姓氏首字母排序）：蔡端俊、曹峻松、陈 鹏、陈义强、陈志忠、程红娟、方 方、方文饶、房玉龙、和巍巍、黄少华、黄文海、耿 博、龚 政、郭 清、郭世平、郭 炜、郝茂盛、胡卫国、化梦媛、黄火林、黄 森、何晨光、贺致远、纪志坡、贾 锐、贾志泰、蒋 科、矫淑杰、江 灏、鞠光旭、孔月蝉、李炳生、李金钗、李述体、李忠辉、梁剑波、刘 超、刘军林、刘可为、刘 雯、刘新科、刘玉怀、刘召军、刘志强、刘宗亮、陆 敏、吕元杰、梅云辉、马剑钢、苗振林、母凤文、牛萍娟、潘尧波、齐红基、全知觉、任国强、赛青林、桑立雯、宋 波、孙海定、孙文红、孙永强、田朋飞、王光绪、王嘉铭、王茂俊、王 琦、王荣华、王鑫华、王英民、魏同波、汪炼成、吴 亮、吴嘉伟、吴雅苹、谢志国、徐明升、杨 霏、杨兰芳、杨 树、杨学林、殷 红、于彤军、张佰君、张 峰、张 辉、张纪才、张建立、张景文、张苇杭、张 嵩、张 雄、张宇昊、张 韵、张紫辉、赵璐冰、赵 维、周春华、周 弘、周 琦
大会秘书处
秘书长： 张振中 黄火林
副秘书长： 赵 红 张克雄 张赫之
成 员： 贾欣龙、马浩然、夏晓川、孙雨周、代建勋、柳阳、李鹏、王月飞、杨霖等
三、主要日程
【大会报告前瞻】
Wide bandgap semiconductor for Display and Power Applications
刘纪美
香港科技大学讲席教授
功率半导体材料与器件集成建模仿真
刘胜
武汉大学集成电路学院院长、教授
紫外LED技术研究与应用
王军喜
中国科学院半导体研究所宽禁带半导体研发中心主任、研究员
氮化物半导体的大失配异质外延及其器件研制
王新强
北京大学物理学院教授、
北京大学东莞光电研究院院长
高功率宽禁带半导体材料与器件研究
张金风
西安电子科技大学教授
碳化硅单晶技术及产业化进展及展望
陈秀芳
山东大学教授
宽禁带半导体材料生长与光电子芯片技术进展和应用研究
肖志国
华夏芯智慧光子科技(北京)有限公司首席科学家、
路明科技集团有限公司总工程师
超厚碳化硅单晶锭和外延薄膜的生长
皮孝东
浙江大学求是特聘教授，浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院院长
金刚石悬臂梁光声光谱仪及多组分气体传感
单崇新
郑州大学副校长、教授
宽禁带半导体碳化硅的晶体生长和应用进展
李辉
中国科学院物理研究所研究员
宽禁带半导体紫外单光子探测器、软x射线能谱探测器与直接电子探测器
陆 海
南京大学教授
氮化物半导体缺陷功能化研究
黎大兵
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
副所长、研究员
宽禁带半导体探测与传感器件研究
梁红伟
大连理工大学集成电路学院院长、教授
【分会部分报告前瞻】
持续更新中，不分先后
基于GaN/Si混并联开关的Buck电路应用
罗小蓉
成都信息工程大学副校长、电子科技大学教授
氧化镓半导体功率电子器件
龙世兵
中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授
题目待定
程凯
苏州晶湛半导体有限公司 董事长、总裁
氧化镓电力电子器件技术的需求
黄文海
香港科技大学教授
氮化镓光电器件物理与高性能器件研制
张紫辉
广东工业大学教授
金刚石辐射探测器级材料制备和器件性能研究
苏凯
西安电子科技大学教授
Micro-LED巨量转移及彩色化研究进展
龚政
广东省科学院半导体研究所研究员
基于离子束剥离技术的宽禁带半导体异质集成材料与器件
游天桂
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员
高品质MPCVD金刚石单晶材料、装备及应用
刘本建
哈尔滨工业大学副教授
2英寸多晶金刚石与GaN常温键合及其在热管理中的应用
梁剑波
国家第三代半导体技术创新中心（苏州）、
大阪公立大学教授
SiC功率模块先进油浸式封装技术探索
梅云辉
天津工业大学教授
缺陷工程克服III族氮化物LED中的不对称载流子注入
石芝铭
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员
基于复合衬底的厚GaN外延材料生长研究
房玉龙
中国电子科技集团公司第十三研究所高级工程师
氮化镓半导体电子器件材料同质外延技术研究
薛军帅
西安电子科技大学教授
SiC衬底氮极性GaN薄膜极性可控生长和异质结制备研究
邓高强
吉林大学电子科学与工程学院集成光电子全国重点实验室副教授
宽禁带半导体范德华异质结构及器件
宁静
西安电子科技大学教授
SiC衬底位错无损检测技术助力晶圆良率预测与提升
金盛烨
中国科学院大连化学物理研究所研究员
GaN基功率器件栅介质技术与可靠性研究
陈敦军
南京大学电子科学与工程学院副院长、教授
氮化物宽禁带半导体材料的深紫外光谱研究
唐宁
北京大学教授
GaN功率器件的辐射机理与抗辐射加固研究
魏杰
电子科技大学特聘研究员
具有可调阈值电压和低界面态密度的GaN HEMT研究进展
郭炜
中国科学院宁波材料技术与工程研究所研究员
宽带隙半导体材料与器件的缺陷工程
凌志聪
香港大学教授
宇航用GaN功率器件SEB机制及评估研究
马英起
中国科学院大学教授
AlGaN基深紫外发光器件研究
王嘉铭
北京大学特聘副研究员
面向智能时代的GaN基人工突触器件技术研究
伊晓燕
中国科学院半导体研究所研究员
室温电注入激射的氮化镓基光子晶体面发射激光器
冯美鑫
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员
六方氮化硼表面褶皱调控及柔性光电器件
魏同波
中国科学院半导体研究所研究员
AI赋能的AlGaN基深紫外LED特性参数反演方法研究
路慧敏
北京科技大学计算机与通信工程学院教授
GaN半导体自旋注入、输运与器件应用
吴雅苹
厦门大学物理科学与技术学院教授、
微纳光电子材料与器件教育部工程研究中心主任
氮化镓基光电集成芯片
孙海定
中国科学技术大学教授
基于深能级瞬态谱方法的GaN基电子器件可靠性机理探究
黄森
中国科学院微电子研究所研究员
氮化镓新型电子器件的研究与应用
敖金平
江南大学教授
功率半导体与集成技术
刘国友
株洲中车时代半导体有限公司
中车科学家、正高级工程师
新型硅基垂直GaN HEMT器件
黎子兰
广东致能半导体有限公司总经理
GaN功率集成技术的挑战与展望
魏进
北京大学集成电路学院研究员
面向小微间距大屏直显的硅基GaN单芯全彩Micro-LED
孙钱
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员
1500伏垂直型硅基氮化镓功率MOSFET器件
刘超
山东大学集成电路学院/晶体材料国家重点实验室教授
GaN基异质界面声子输运调控及热管理
桑立雯
复旦大学研究员
SiC基IGBT器件与少子寿命研究
张峰
厦门大学教授
面向功率转换系统的GaN单片集成温度传感及过温保护技术研究
刘雯
西交利物浦大学高级副教授
硅基氮化镓射频器件与集成技术研究进展
祝杰杰
西安电子科技大学教授
高质量大尺寸氧化镓单晶的生长及缺陷
张辉
浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室、
浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院双聘教授
氧化镓功率二极管的研究
杨伟锋
厦门大学特聘教授
大功率氧化镓二极管技术研究
冯志红
中国电子科技集团公司第十三所研究员
超宽禁带半导体氮化硼材料与器件
殷红
吉林大学高压与超硬材料全国重点实验室教授
氧化镓单晶衬底及外延技术研发进展
齐红基
中国科学院上海光学精密机械研究所研究员、
杭州光学精密机械研究所所长、
超宽禁带半导体AlN单晶生长及其器件开发最新进展
吴亮
奥趋光电技术（杭州）有限公司CEO
超宽禁带半导体氧化镓异质异构界面工程协同设计
张召富
武汉大学教授
双生长腔室互连MOCVD外延生长宽带隙氧化镓半导体薄膜及紫外光电探测器件的研究
李炳生
东北师范大学教授
不同形状和原位集成含ITO台肩谐振腔Micro-LED器件研究
汪炼成
中南大学教授
宽带隙半导体氧化镓高能辐射探测器研究
侯小虎,赵晓龙,徐光伟
中国科学技术大学
高介电常数材料在宽禁带半导体中的应用
张强
大连科利德半导体材料有限公司市场总监
高压氮化镓功率电子材料与器件关键技术
王荣华
润新微电子（大连）有限公司副总经理
大规模制备超薄超柔性金刚石膜
景纪祥
香港大学
更多报告持续更新中，详细日程敬请期待！
四、大会主题
绿色能源与智能时代的宽禁带半导体技术
五、会议征文方向：
1.材料生长(氮化物半导体、氧化物半导体、碳化硅、金刚石等)
2.材料物性和表征技术(光、电、磁、热性质、缺陷物理等)
3.光电子器件及其应用(LED、Micro-LED、LD、光电探测器等)
4.电子器件及其应用(射频电子器件、功率电子器件、传感器及集成电路等)
5.新型宽禁带材料与器件(超宽禁带半导体、二维宽禁带半导体、有机宽禁带半导体等)
6.辐射及高能粒子探测器件
征文要求：
1.符合上述内容的论文摘要；
2.论文摘要主题突出、内容层次分明、数据准确、论述严谨、结论明确、采用法定计量单位；
3.论文摘要须以WORD文档格式，包含标题、作者及其单位地址、正文、图表、参考文献等在内不超过一页A4纸；
4.提交截止日前,以电子邮件方式（投稿邮箱: kxzhang@dlut.edu.cn、hez.zhang@dlut.edu.cn、zhangzhenzhong@nenu.edu.cn）提交至会议组委会秘书组；相关模板可登录大会官网（http://www.wbsc.org.cn）或查询附件；
5.所有论文摘要均编入会议文集。
六、会议注册费
1.普通代表（A类票）：
2800元（含会议文集、日程等会议资料及会议期间相关服务）
2.学生代表（B类票）：
2300元（与普通代表会议待遇相同，但须提交相关证件）
扫码注册报名
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七、注册费缴费方式
1.通过银行汇款
开户行：中国工商银行北京市分行百万庄支行
账 号：0200001409014413573
名 称：中国有色金属学会
注：银行汇款请务必备注“宽禁带会议+参会代表姓名”
2.线上缴费，登录官网，
3.现场缴费（接受扫码、刷卡）
八、会议信息及联系人
1.会议官网：http://www.wbsc.org.cn
（会议详细信息请扫码关注大会官网）
2.论文征集联系人
张克雄：15382208398；Email: kxzhang@dlut.edu.cn
张赫之：13478911634；Email: hez.zhang@dlut.edu.cn
张振中：18626668329；Email: zhangzhenzhong@nenu.edu.cn
3.合作咨询
参会咨询：
芦老师：13601372457，E：lul@casmita.com
商务合作：
贾先生：18310277858，E：jiaxl@ casmita.com
张小姐：13681329411，E：zhangww@ casmita.com
参会代表财务咨询：
庞老师：15010359809
热烈欢迎相关领域的专家、学者、行业企事业单位参会交流！
4、酒店信息
会议酒店：大连香格里拉大酒店
位于人民路商业街，与中山广场相邻（大连市中山区人民路66号）。
房间价格：高级房：1000元/间夜（含单早），豪华房：1100元/间夜（含单早）
扫码跳转酒店官网预定链接：
住宿协议酒店:
·大连心悦大酒店（中山区人民路81号）
商务大床房：420元间/夜（含单早）
商务双人房：420元间/夜（含双早）
订房联系方式：宋经理18640869188
距离会议酒店：477米
·大连新嘉信酒店（中山区五五路53号）
大床房：468元间/夜（含双早）
双床房：468元间/夜（含双早）
订房联系方式：任经理18940991977
距离会议酒店:约1公里
·桔子水晶酒店（大连中山广场店）
高级大床房：500元间/夜（含单早）
订房联系方式：朱经理18642677723
距离会议酒店:约1.1公里
·大连渤海明珠酒店（中山区胜利广场8号）
标准大床房：440元间/夜（含双早）
标准双床房：440元间/夜（含双早）
订房联系方式：张经理15840631085
备注：10间以上价格为420元
距离会议酒店:约1.9公里
注：大连旅游城市正值旅游旺季，酒店实际价格有可能调整，以酒店公布为准。
5.交通信息
