第三代半导体产业数字化公共服务平台

钧联电子安徽省首条先进工艺SiC车规功率模块产线下线

2月26-28日，”2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”将在重庆融创施柏阁酒店举办。西南交通大学集成电路科学与工程/电气工程学院、教授/博导马红波受邀将出席论坛，并带来《基于SiC MOSFET/GaN HEMT的高频、高效电能变换与应用》的主题报告，分享最新研究成果，敬请关注！

碳化硅（SiC）技术领域的全球引领者 Wolfspeed（美国纽约证券交易所上市代码：WOLF）于近日发布了全新的第 4 代（Gen 4）技术平

48所成功实现第三代半导体SiC外延设备的首次大规模批量发货，共计30台套。

以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的驱动因素和重要保证。记者从中国科学院微电子研究所获悉，我国

先进半导体产业大会（CASICON）是由极智半导体产业网主办，每年在全国巡回举办的行业综合活动。CASICON 系列活动以助力第三代半

士兰微子公司士兰集宏的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目已顺利完成钢桁架梁吊装，预计将在今年一季度实现封顶。

1月20日，北京晶飞半导体宣布，公司SiC激光剥离设备成功发运行业头部企业客户。资料显示，北京晶飞半导体成立于2023年，是一家专

北京晶飞半导体SiC激光剥离设备成功发运行业头部客户。

安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15亿美元现金收购Qorvo碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司United Silicon Car

其中芯联集成2024年的亮眼业绩，便是最典型的案例之一。

美国芯片制造商Wolfspeed已将其位于达拉斯郊外的得克萨斯州工厂挂牌出售。该工厂位于Farmers Branch，通过Loopnet以未披露的价格

近日，印度Indichip Semiconductors Limited与日本Yitoa Micro Technology Limited (YMTL) 携手合作，与安得拉邦政府签署了一份

科瑞半导体实施功率半导体产业链倍增计划，推进第三代半导体等功率器件封测产线的升级，于6月投资启动实施一期项目IGBT、SiC第三代半导体基础工艺封测产线建设，扩建半导体功率器件框架生产线，主要应用于充电桩、新能源汽车等领域。

天岳先进将继续秉持“先进 品质 持续”的理念，坚持自主创新，品质引领，为碳化硅行业的广阔发展贡献天岳力量。

“碳化硅功率器件及其封装技术 I”分会上，加拿大多伦多大学电气与计算机工程系教授吴伟东做了“SiC 功率 MOSFET老化检测智能栅极驱动器”的主题报告，分享了相关研究进展。

安森美（onsemi，纳斯达克股票代码：ON）宣布已与Qorvo达成协议，以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术

期间，“碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术”分会上，中微半导体设备（上海）股份有限公司工艺主任工程师陈丹莹做了“PRISMO PDS8 – 用于SiC功率器件外延生长的CVD设备”的主题报告，分享了基于CFD模拟的SiC刀具设计优化、AMEC PRISMO PDS8 SiC外延工艺结果等内容。

本研究提出了一种能够减轻高功率激光加工中热漂移问题的 4H-SiC 超透镜。

功率半导体测试系统解决方案创新领导者「忱芯科技（UniSiC）」近日宣布完成2亿元战略融资