第三代半导体产业数字化公共服务平台

11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于厦门召开。 届时，台湾阳明交通大学教授郭浩中将受邀出席论坛，并带来《GaN基UVC和Micro LED技术最新进展》的主题报告，敬请关注！

惠科全色系M-LED新型显示芯片基地项目在位于临江新区顺庆片区的南充高新技术产业园区开工建设。

11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于厦门召开。三重大学教授Hideto Miyake将受邀出席论坛，并带来《面对面退火溅射沉积AlN模板上DH结构的UVC LED》的主题报告，敬请关注！

11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于厦门召开。 爱尔兰科克廷德尔国家研究所高级研究员李智将受邀出席论坛，并带来《通过微转印实现微型LED的高级集成》的主题报告，敬请关注！

《光医疗及健康行业发展蓝皮书》通过对中国光医疗产业的全面梳理，深入分析了激光、LED、OLED三大光源技术在医疗健康领域的技术

华中科技大学研究团队在AlGaN基远紫外LED光源领域取得重要进展

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时，甬江实验室副研究员陈荔将出席会议，并带来《氮化铝半极性面外延调控及其在深紫外LED中的应用》的主题报告，敬请关注！

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时，厦门大学副教授卢卫芳将受邀出席论坛，并带来《GaN/InGaN基核-壳纳米结构选区外延及其Micro-LED器件制备研究》的主题报告，敬请关注！

由中国科学院长春光学精密机械与物理研究所牵头制定，遵循CASASCSAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委

厦门大学与厦门市未来显示技术研究院的研究团队在Micro-LED研究领域取得了重要突破

8月27-29日，第五届紫外LED大会暨长治LED产业发展座谈会在山西长治成功举办。会议以“同芯共赢 聚力发展”为主题，来自国内紫外LED领域的知名专家学者、国内外企业精英、行业组织领导和产业链产学研用不同环节嘉宾代表600余人，围绕紫外LED与光电前沿技术、紫外LED创新应用等主题，深入探讨交流最新技术进展与发展趋势，分享前沿研究成果。

8月28日，以“同芯共赢 聚力发展”为主题的第五届紫外LED大会暨长治LED产业发展座谈会在山西长治开幕。

8月21日，《财富》发布2025年中国科技50强榜单，利亚德凭借其在LED显示领域的全产业链技术突破及全球化市场布局的卓越表现，成功

2025年8月27-29日，第五届紫外LED大会暨长治LED产业发展座谈会将于山西长治举办。目前众多专家行程报告已经确认，会议详细日程正

2025年8月27-29日，“第五届紫外LED大会暨长治LED产业发展座谈会”将于山西长治举办。本届会议由长治市人民政府与中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）共同主办。

近日，河北工业大学、广东工业大学楚春双副教授、张勇辉教授、张紫辉教授团队联合中国科学院半导体研究所闫建昌研究员团队，在深紫外发光二极管（DUV LED）效率提升方面取得重要进展。他们创新性地提出并实现了“光子辅助空穴再生器”结构，成功将原本无法逸出芯片的紫外光子转化为可利用的空穴。

2025年7月18日，由中国科学院长春光学精密机械与物理研究所牵头起草的T/CASAS 049202X《面向光治疗的柔性LED光源拉伸度测试方法

2025年7月18日，由中国科学院长春光学精密机械与物理研究所牵头起草的T/CASAS 049202X《面向光治疗的柔性LED光源拉伸度测试方法

本研究工作提出了一种有效方法，通过在GaN/AlN量子阱（QW）界面引入氮空位（VN），解决了发光二极管（LED）中长期存在的载流子非对称注入问题。VN态起到了“台阶”的作用，同时也提供了足够大的扰动势；它通过提升能带连续性和增强电-声子（el-ph）耦合，显著改善了电子向导带底的弛豫过程。电子弛豫时间（τe）从最初的 8.61 ps降至 0.15 ps，达到了与空穴弛豫时间（τh，0.12 皮秒）相当的水平。这项工作不仅消除了GaN基光源中一个长期存在的瓶颈，也为利用缺陷来设计载流子弛豫提供了新视角。

第五届紫外LED大会暨长治LED产业发展座谈会将于8月27-29日在山西长治滨湖国际大酒店举办。本届会议由长治市人民政府与中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）共同主办。