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近日，南京国博电子股份有限公司（以下简称国博公司）与国内头部智能移动终端厂商共同研发的硅基氮化镓功率放大器芯片，在手机等

10月28日，在内江高新区高铁片区，长川科技内江集成电路封测设备研发制造基地二期项目开工。二期项目投产后，将显著提升内江在半

据内江高新官微消息，10月28日，长川科技内江集成电路封测设备研发制造基地二期项目正式开工建设。据悉，长川科技于2021年9月落

10月28日，位于无锡锡山经济技术开发区的三月科技综合技术研发中心暨新型光电材料高端生产基地项目正式开业。江苏三月科技股份有

近日，国家工业和信息化部正式公布第七批专精特新小巨人企业名单。我司凭借核心技术突破、研发创新能力以及行业领先地位成功通过

苏州东微半导体股份有限公司（“东微半导体”，证券代码：688261）与苏州晶湛半导体有限公司（“晶湛半导体”）于10月17日联合宣布，双方已达成战略合作，共同推进12英寸氮化镓技术与产品的研发与应用。

由中关村半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)主办的“2025（中国·鹤壁）半导体光电产业研讨会——半导体激光器的时代机遇”将于2025年11月28日至29日在河南省鹤壁市召开

11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于厦门召开。 届时，浙江航芯源集成电路科技有限公司/研发总监吕晓峰将受邀出席论坛，并带来《功率氮化镓器件在宇航电源领域的机遇与挑战》的主题报告，敬请关注！

天成半导体官微宣布，继第二季度研制出12英寸N型碳化硅单晶材料后，又依托自主研发的12英寸碳化硅长晶设备成功研制出12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶材料，12英寸N型碳化硅单晶材料晶体有效厚度突破35㎜厚。

11月11-14日，IFWS&SSLCHINA2025将于厦门召开。 届时，山东大学集成电路学院教授刘超将受邀出席论坛，并在Short course培训课程中分享《垂直氮化物功率器件》的主题报告，全面介绍基于垂直氮化镓和氮化铝镓的功率器件最新研发进展。敬请关注！

无锡吴中高新项目建设接连刷新进度条三环集团华东区研发制造总部项目即将竣工备案。

中国科学院半导体研究所郑婉华院士团队在《激光与光子学评论》（Laser & Photonics Reviews）发表一项创新成果，成功观测到基于离域化拓扑边界态的自组织激射现象，实现了大规模高相干激光出射

近日，中国科学院半导体研究所宽禁带半导体研发中心王军喜、魏同波研究员团队，与复旦大学沈超研究员、沙特国王科技大学李晓航副教授合作，制备出氮化物片上日盲光通信集成器件，并搭建了可以实时传输视频信号的片上光通信集成系统。

近日，黑龙江省工业和信息化厅正式公布《 2025年黑龙江省首台（套）产品奖励及保险补偿政策拟支持名单公示》，我司自主研发的碳

小米科技创始人雷军在“2025年雷军年度演讲”中宣布，小米将坚定不移地投入芯片自研领域，计划在未来十年内至少投入五百亿元人民币用于手机SoC（系统级芯片）的研发。

9月19日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称中微公司，股票代码：688012）今日于广州市增城经济技术开发区隆重举办

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时，江苏第三代半导体研究院/国家第三代半导体技术创新中心（苏州）异质集成先进技术研发中心梁剑波将受邀出席论坛，并带来《GaAs与Si及GaN的常温异质接合研究》的主题报告，敬请关注！

北京晶飞半导体科技有限公司在碳化硅晶圆加工技术领域取得重大突破，成功利用自主研发的激光剥离设备实现了12英寸碳化硅晶圆的剥离。

根据国际器件和系统路线图（IRDS2023），在集成电路逻辑技术领域，互补场效晶体管（CFET）是继FinFET和水平GAA之后的下一代晶体

据鄂州融媒消息，8月16日，投资5亿元的鄂州鑫瑞阳半导体激光器生产制造项目正式开工。该项目聚焦光学元器件研发和设计，突破关键