以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体功率芯片和器件,以其高压、高频、高温、高速的优良特性,能够大幅提升各类电力电子设备的
三方拟合作建设半导体生产制造及封装基地项目。该项目将在郑州航空港实验区建设第三代化合物半导体SiC生产线、高可靠集成电路封装生产线、工业模块电源生产线,打造集IC设计、芯片制造、先进封装为一体的产业生态体系。
北京经开区北方华创、世纪金光等企业提前布局研发SiC,北汽新能源率先用上第三代半导体零部件,在第三代半导体碳化硅迎来“上车”时刻抢抓市场先机
10月25日,晶盛机电发布公告,拟定增募资不超过57亿元,用于碳化硅(SiC)衬底晶片生产基地项目、12英寸集成电路大硅片设备测试实验线项目、年产80台套半导体材料抛光及减薄设备生产制造项目以及补充流动资金。
瑞典皇家理工学院(KTH)教授Carl-Mikael Zetterling将出席IFWS & SSLCHINA 2021并做大会报告,分享用于极端环境电子产品的 SiC 集成电路的最新研究成果,并且将展示和讨论与“在金星上工作”项目相关的七年多批次内部双极和 CMOS 集成电路技术的实验结果。
报告从p-GaN帽层增强型器件栅压摆幅受限的物理机制分析出发,结合新型栅极结构方案设计与实验验证,包括反向pn结帽层结构、极化掺杂p型帽层结构等,系统讨论栅极设计对器件可靠性及动态损耗的影响规律,总结出潜在的面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术。
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