中国电科第四十八研究所自主研发的40台SiC外延炉成功Move in。
北京大学教授于彤军做了“大尺寸AlN单晶生长研究”的主题报告,分享了SiC上AlN异质PVT生长的形貌控制和2-4英寸AlN同质PVT生长的最新研究进展。
自8月首批沟槽型MOSFET器件晶圆下线以来,九峰山实验室持续攻克碳化硅工艺技术难关。近日,实验室在碳化硅超结领域取得新进展:
阳光电源高级工程师,中央研究院光储中小功率业务主管王昊做了”碳化硅功率器件在新能源领域的应用和挑战“的主题报告,分享了SiC器件在新能源行业应用的机遇、挑战,以及SiC器件在阳光电源应用的实践等内容。
热管理在当代电子系统中至关重要,而金刚石与半导体的集成提供了最有前途的改善散热的解决方案。然而,开发一种能够充分利用金刚
包含中国一汽在内的27家创新联合体共建单位共同签署固态电池产业创新联合体。
近日,在国网嘉兴供电公司数智能源运营中心,工作人员下发柔性调控指令后,平湖市新仓镇新仓社区芦川花苑二期16号公变全部光伏客
近日,芯塔电子自主研发的1200V/80mΩTO-263-7封装 SiC MOSFET器件成功获得第三方权威检测机构(广电计量)全套AEC-Q101车
2023年11月28日,经CASAS管理委员会第二届第二次会议决议,CASAS正式成立SiC功率器件与模块工作组、 GaN功率器件与模块工作组。S
世界500强企业贺利氏(Heraeus)近日收购了SiC衬底供应商Zadient的多数股份。作为德国高科技材料企业,贺利氏认为SiC衬底市场具
随着5G、碳中和、AI时代的来临,芯片市场需求激增,以砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等为代表的化合物半导体市场
香港科技园公司与微电子企业杰平方半导体签署合作备忘录 共同推动香港微电子产业发展10月13日 - 由创新科技及工业局和引进重点企
9月6-8日,三安半导体携碳化硅全产业链产品亮相SEMICONTaiwan2023,成功吸引行业关注,展示公司在第三代半导体研发和商业化进程
9月6日,第三代半导体产业创新发展大会在南京市江宁开发区举行。国家第三代半导体技术创新中心(南京)一期项目竣工投产。国家第
该项目总投资预计超过200亿元,其中项目一期总投资100亿元,可年产36万片SiC MOSFET晶圆,包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。
今年第二季度,国际半导体产业协会(SEMI)正式发布了碳化硅半导体外延晶片全球首个SEMI国际标准《4H-SiC同质外延片标准》(Spec
日前,三安光电公布了2023年半年报,报告期内整体营收约64.69亿元,同比下降4.33%;归属于上市公司股东的净利润1.7亿元,同比下
2023年7月26-28日,2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)指
功率与光电半导体器件的设计与集成应用在提高能源利用效率、推动通信技术进步、促进科学研究和医疗技术革新等方面发挥着至关重要
7月26-28日,江苏省第三代半导体研究院邀您参加在西安召开的2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛。CASICON 2023西安论坛
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