第三代半导体产业数字化公共服务平台

得益于高功率、高频率和高温环境下的众多卓越性能，氮化镓功率电子器件技术在具有广阔的发展前景。技术发展具有持续的创新和应用

半导体产业网获悉：11月9日，广东致能科技有限公司（以下简称致能科技）完成首个1200V D-Mode高可靠性氮化镓平台。在满足1200V系

半导体产业网 2023年11月10日，温州芯生代科技有限公司在2023世界青年科学家峰会上隆重发布了面向高电压大电流HEMT功率器件应用

随着5G、碳中和、AI时代的来临，芯片市场需求激增，以砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等为代表的化合物半导体市场

以碳化硅、氮化镓、砷化镓和磷化铟为代表的化合物半导体材料，相比第一代单质半导体，在高频性能、高温性能方面优异很多，发展前

以碳化硅、氮化镓、砷化镓和磷化铟为代表的化合物半导体材料，相比第一代单质半导体，在高频性能、高温性能方面优异很多，发展前

以氮化镓、碳化硅等为代表的第三代半导体材料正迎来广阔的发展前景，成为全球的机会和关注焦点。碳化硅作为第三代半导体产业发展

新科技时代背景下，人工智能、能源环保、自动驾驶等需求驱动下，以氮化镓、碳化硅等为代表的第三代半导体材料迎来广阔的发展前景

以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等为代表的第三代先进半导体器件是全球智能、绿色、可持续发展的重要支撑力量，其在光电子，射频

硅基氮化镓横向功率器件因其低比导通电阻、高电流密度、高击穿电压和高开关速度等特性，已成为下一代高密度电力系统的主流器件之

科学技术部党组成员、副部长相里斌在开幕致辞中表示，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体具有优异性能，在新能源汽车、信息通讯、智能电网等领域有巨大的市场。科技部一直高度重视第三代半导体的技术创新和产业发展，从“十五”期间开始给予了长期持续支持，建立了从材料、器件到应用的第三代半导体全产业链创新能力。下一步还将与各地方沟通协作，加强统筹谋划和技术布局，加强人才培养，加强国际合作，推动产业链各环节有机衔接，强化以企业为主体、产学研用协同的创新生态。

氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等宽禁带半导体材料广泛用于信息化社会、人工智能、万物互联、现代农业、现代医疗、智能交通、国防

与第一代半导体（如硅、锗）和第二代半导体（如砷化镓、锑化铟）材料相比，以氧化锌（ZnO）、氮化镓（GaN）、硫化镉（CdS）、碳

随着新能源汽车的普及及5G的商用，量产新能源车型中搭载碳化硅（SiC）以及5G基站功放使用碳化硅基氮化镓，催生了碳化硅产业链从

智能驾驶时代下第三代半导体材料的技术进步给电动车电驱电控系统和电源系统带来的新的技术进展。

以碳化硅、氮化镓等重要的第三代半导体材料，在大功率高频器件中具有重要的应用。材料水平直接决定了器件的性能。对作为新材料的

氮化镓(GaN)是一种很有前途的硅替代半导体，广泛应用于光电子和电子技术。然而，GaN表面的脆弱性是阻碍GaN基器件发展的关键限制

核心提示：由深圳智芯微电子科技有限公司牵头制定，遵循CASAS（第三代半导体产业技术战略联盟）标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论

　　香港特区政府12月22日发表《创新科技发展蓝图》，提出推动新型工业化，具体列举了半导体芯片及新能源汽车产业。香港创新科技

据外媒报道，工程研究人员发明了新型高功率电子设备，比以前的技术更节能。这种装置通过一种以受控方式掺杂氮化镓（GaN）的独特