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7月17日，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件和芯片方案提供商瞻芯电子在浙江义乌晶圆厂(Yfab)隆重举办主题为创芯八载，无限热爱的8

由北京大学、中国人民大学科研人员组成的研究团队历经四年攻关，首创一种“蒸笼”新方法，首次在国际上成功实现高质量硒化铟材料的晶圆级集成制造，并研制出核心性能超越3纳米硅基芯片的晶体管器件。

近日，迈为股份自主研发的全自动晶圆级混合键合设备成功交付国内新客户，这是公司在半导体领域达成的又一重要合作。该设备凭借高

氢基新能科技集团与主投方上海卓远方德半导体有限公司联合投资的集成电路新材料第四代半导体MPCVD金刚石材料及高端晶圆生产基地项目正式动土建设。

中国台湾地区仍是其核心基地，魏哲家称未来几年台积电将在此建11座晶圆厂、4座先进封装厂，并在新竹与高雄布局2纳米。

南京大学王欣然教授课题组在Nature Materials期刊在线发表成果，标志着二维材料可控制备的重要新进展，为二维材料多功能异质集成带来新机遇。

根据纳微半导体 Navitas 提供的文件，台积电计划于 2027 年 7 月终止氮化镓 (GaN) 晶圆的生产。而日本半导体制造商 ROHM 罗姆也

近日，有消息称台积电计划淡出氮化镓市场，晶圆五厂将于2027年7月1日后转型为先进封装使用。氮化镓厂纳微半导体也宣布旗下650V元

三星电子正考虑重启其最先进的平泽五号工厂（P5）的建设，该工厂在停工两年后备受关注。据报道，该公司近期在高带宽存储器（HBM

据香港特别行政区政府新闻公报网站，香港创新科技署（创科署）6 月 25 日宣布，创新及科技基金下设的新型工业评审委员会支持杰立

SEMI 6月25日公布了其最新的300mm晶圆厂展望报告的调查结果，显示全球半导体制造业预计将保持强劲势头，预计从2024年底到2028年

2025年2月，杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”)在氧化镓晶体生长与加工技术方面取得了新突破，成功实现6英寸斜切氧化镓衬底的制备，其中衬底主面为(100)面沿 [00-1] 方向斜切4°。

据《华尔街日报》援引知情人士的话报道称，负责美国商务部工业和安全局（BIS）的商务部副部长杰弗里·凯斯勒 （Jeffrey Kessler） 已经通知三星电子、SK海力士、台积电等在中国大陆拥有晶圆厂的晶圆制造商，美国计划取消允许它们在中国使用美国技术（主要是半导体设备）的豁免。

天津大学精密测试技术及仪器全国重点实验室、精仪学院感知科学与工程系黄显教授团队打破了微型LED晶圆测试瓶颈，实现了微型LED晶圆高通量无损测试，研究成果于13日在国际学术期刊《自然-电子学》刊发。

美国晶圆大厂格芯（GlobalFoundries）将继续扩大在德国的投资。

格罗方德（GF）将在未来几年斥资11亿欧元，使其位于德国德累斯顿的芯片工厂的产量翻一番。此前，格罗方德宣布已为美国纽约州马耳

据荷兰地方媒体《de Gelderlander》报道，半导体企业恩智浦计划关闭 4 座 8 英寸晶圆厂

上海交大无锡光子芯片研究院(CHIPX)再次迎来重磅时刻：6月5日，首片6寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆在国内首个光子芯片中试线下线，同时实现了超低损耗、超高带宽的高性能薄膜铌酸锂调制器芯片的规模化量产，关键技术指标达到国际先进水平。

浙江丽水中欣晶圆半导体材料有限公司12吋抛光片通线仪式在浙江省丽水市隆重举行。

台积电正持续发展其最先进制程技术，但随之而来的是晶圆生产成本的显著飙升，即使是对其获利最丰厚的客户，面对如此高昂的晶圆生产成本，也可能需要再三考虑下单的可能性。