第三代半导体产业数字化公共服务平台

以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼、石墨烯等为代表的超宽禁带半导体材料具有更高的禁带宽度、热导率以及材料稳定性，有着显著的

4月8日，2023特色工艺半导体产业发展常州峰会举行。会上，宽禁带半导体国家工程研究中心常州分中心揭牌，龙城芯谷项目启动。常州

核心提示：半导体产业网讯：近日，武汉大学工业科学研究院袁超课题组在国际权威期刊《Journal of Applied Physics》上，以A review of ther

近日，厦门大学康俊勇教授团队采用铁电栅控方法，首次实现了对单层和双层WS2的非易失性能谷调控，并在室温下获得了较高的谷极化

半导体产业网讯近日，西安交大电子学院先进光电所云峰教授团队在六方氮化硼薄膜大面积制备及剥离方面取得了重要进展。该成果以

作为新型的宽禁带半导体材料，氧化镓（Ga2O3）由于自身的优异性能，凭借其比第三代半导体材料SiC和GaN更宽的禁带，在紫外探测、高频功率器件等领域吸引了越来越多的关注和研究。

南沙通过强化招商引资工作，率先抢占产业发展制高点，引进培育了芯粤能、芯聚能、晶科电子、联晶智能、南沙晶圆、先导半导体高端设备等一批行业龙头企业，已初步形成覆盖半导体和集成电路设计、制造、封装测试、设备材料等全产业链环节。

近日，南方科技大学深港微电子学院教授于洪宇课题组和助理教授李携曦课题组在宽禁带半导体功率器件领域取得系列进展，

济南宽禁带半导体产业特色小镇起步区旨在承接京津冀和环渤海、省会都市圈、半导蓝色经济带产业升级，构建以宽禁带半导体研发试验、中试和产业化生产为主导的创新性、科技型、集约化的国内一流宽禁带半导体产业园。

郝跃院士及其团队实现了宽禁带半导体从核心设备、材料到器件的重大创新