第三代半导体产业数字化公共服务平台

一、课题组介绍厦门大学宽禁带半导体研究组依托国家集成电路产教融合创新平台、教育部微纳光电子材料与器件工程研究中心、福建省

近日，由华东理工大学牵头的国家重点研发计划 大尺寸氮化镓单晶制备用高温超高压反应釜设计制造技术项目启动暨实施方案论证会在

7月7日，国家发展改革委办公厅等四部门发布《关于促进大功率充电设施科学规划建设的通知》。进一步优化完善我国充电设施网络布局

6月30日，科技部网站公布《国家科学技术奖励条例实施细则》（以下简称《实施细则》）。文件提到，国家最高科学技术奖每次授予人

加拿大政府以所谓“国家安全”为由，命令海康威视加拿大有限公司停止在加拿大运营并关闭其加拿大业务

华中科技大学国家脉冲强磁场科学中心李亮教授团队20日成功实现71.36特斯拉平顶脉冲磁场强度，刷新了该中心于2018年创造的64特斯拉平顶脉冲磁场强度世界纪录

6月10日，国家重点研发计划战略性科技创新合作重点专项氧化镓单片功率电子集成器件研究项目启动会暨实施方案论证会在中山大学东

近日，工信部公示首批重点培育中试平台初步名单。人福医药创新药中试平台、鼎康生物重组蛋白药物中试平台、华中数控全国产化芯片和操作系统高档数控系统中试平台、九峰山实验室化合物半导体中试平台、华星光电柔性及印刷OLED 显示中试平台、国创中心数字化设计与制造中试平台等6家光谷中试平台入选。

日前，经国务院同意，工业和信息化部、国家发展改革委、教育部、科技部、财政部、市场监管总局、金融监管总局、国家知识产权局、

国务院新闻办公室于2025年5月7日上午9时举行新闻发布会，请中国人民银行、国家金融监督管理总局、中国证券监督管理委员会负责人介绍“一揽子金融政策支持稳市场稳预期”有关情况，并答记者问。

近期，宽禁带半导体国家工程研究中心郝跃院士、马晓华教授团队在氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）领域取得重要突破，成

国家知识产权局信息显示，苏州晶湛半导体有限公司申请一项名为一种发光器件的制备方法及发光器件的专利，公开号 CN 119836082 A

国家知识产权局信息显示，广州南砂晶圆半导体技术有限公司申请一项名为一种用于PVT法生长碳化硅单晶的装料装置及其应用的专利，

国家知识产权局信息显示，苏州长光华芯光电技术股份有限公司、苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司取得一项名为模式调控

近日，电科芯片所属西南设计牵头制定的国家标准《半导体集成电路-射频发射器/接收器测试方法》正式实施。该标准规定了半导体集成

国家知识产权局信息显示，瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司申请一项名为一种降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷的方法的专利

国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司申请一项名为功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法的专利，公开号 CN 1197

国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为半导体结构及其形成方法的专利，公开号CN 119767774

国家知识产权局信息显示，黑龙江汇芯半导体有限公司申请一项名为一种集成有SiC功率器件短路保护的智能功率模块的专利，公开号CN

国家知识产权局信息显示，江西誉鸿锦材料科技有限公司取得一项名为种亚垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法的专利，授权