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镓仁半导体在超宽禁带半导体材料领域取得重大突破

天眼查显示，苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司近日取得一项名为一种释放氧化应力的VCSEL芯片及其制备方法的专利，授权

国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为碳化硅衬底及其制备方法、半导体器件、电子设备的专利，公开号 CN 119153

唐晶量子化合物半导体外延片研发和生产项目将扭转化合物半导体激光器外延片长期依赖进口的局面，助力下游半导体激光器、射频芯片等国产化。

新站高新区与深记设备搬运安装有限公司举行项目签约仪式，进一步助力我区新型显示、半导体产业发展。

欧盟委员会批准了一项13亿欧元的意大利补贴，以支持新加坡初创公司Silicon Box在诺瓦拉建造一个半导体先进封装和测试设施。

英伟达、台积电、海力士、博通、阿斯麦、中芯国际等45家半导体企业2024年第三季度财报汇总

天岳先进成功获得中知（北京）认证有限公司颁发的基于ISO 56005的《创新与知识产权管理能力》等级证书（3级）。

格力电器董事长董明珠在《珍知酌见》 栏目里与新浪财经CEO邓庆旭对话时透露，格力电器在芯片研发领域取得重大突破。

天岳先进将继续秉持“先进 品质 持续”的理念，坚持自主创新，品质引领，为碳化硅行业的广阔发展贡献天岳力量。

中南大学汪炼成联合中科院半导体研究所、湖南大学团队等近年一直致力原位集成超表面光场调控Micro-LED器件研究。

俄罗斯最大的芯片制造商之一Angstrom-T因无力偿还990万美元（约合人民币7200万元）债务而宣布破产。

清华大学罗毅院士课题组与安徽格恩半导体有限公司合作，通过深入研究GaN同质外延过程中的位错控制、InGan/GaN多量子阱的应力调控以及腔面镀膜技术，制备了高效的GaN蓝光激光二极管。

半导体行业作为高新技术的代表，得到了国家政策的大力支持和各地政府的积极投资。

“氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术”分会上，中国科学院半导体研究所副研究员、中科重仪半导体联合创始人姚威振做了”GaN基光电材料外延与MOCVD反应腔结构关联性研究“的主题报告，分享了MOCVD反应器结构对硅基GaN生长的影响，基于模型的应力与翘曲控制策略的研究进展与成果。

19-20日，九场技术分会，四场产业峰会，以及“强芯沙龙·会客厅”三大主题三场对话，火力全开，百余位专家分享精彩主题内容。

2024年度中国第三代半导体技术十大进展正式揭晓，以更好的把握行业前沿、凸显具有影响力和突破性的进展，为行业发展提供清晰视角，激励更多创新。

11月13日，据吴中发布消息，连日来，苏州市吴中区全力冲刺第四季度加力提速重点项目建设，其中涉及一个半导体项目宝士曼第三代半

端到端垂直整合，提升市场竞争力安森美在SiC领域有着深厚的历史积淀，是目前为数不多具有端到端垂直整合能力的大型SiC供应商，包

近日，闻泰科技半导体业务宣布与知名汽车供应商KOSTAL（科世达）建立战略合作伙伴关系，共同致力于开发和生产更符合汽车应用严苛