第三代半导体产业数字化公共服务平台

联发科30日举行法说，释出未来展望，执行长蔡力行指出，持续深化AI芯片战略，首批2nm芯片9月试产。

球领先的8英寸GaN-on-Si（硅基氮化镓）制造供应商英诺赛科与联合汽车电子宣布成立联合实验室

晶越半导体继2025年上半年成功量产8英寸碳化硅衬底后，公司持续投入并不断加大研发力度，并在热场设计、籽晶粘接、厚度提升以及

氮化镓（GaN）基电子器件具有高频、高效、耐高温及抗辐射等特性，是下一代高效电力电子与射频电子系统的核心支撑器件，已在5G/6G

7月18日，国新办召开新闻发布会，介绍2025年上半年工业和信息化发展情况。记者从会上获悉，工信部已将2400余家中试平台纳入储备

本研究工作提出了一种有效方法，通过在GaN/AlN量子阱（QW）界面引入氮空位（VN），解决了发光二极管（LED）中长期存在的载流子非对称注入问题。VN态起到了“台阶”的作用，同时也提供了足够大的扰动势；它通过提升能带连续性和增强电-声子（el-ph）耦合，显著改善了电子向导带底的弛豫过程。电子弛豫时间（τe）从最初的 8.61 ps降至 0.15 ps，达到了与空穴弛豫时间（τh，0.12 皮秒）相当的水平。这项工作不仅消除了GaN基光源中一个长期存在的瓶颈，也为利用缺陷来设计载流子弛豫提供了新视角。

近年来，全球半导体产业迎来爆发式增长，中国半导体市场更是呈现资金加速涌入、产能快速扩张、企业积极出海的发展态势，半导体设

2025 年 7 月 14 日上午，舜宇奥来设备搬入暨战略合作签约仪式在上海盛大举行。此次活动不仅标志着舜宇奥来临港项目迎来重大里程

盛美上海ECP设备1500电镀腔顺利交付，标志着盛美上海在产品迭代升级与市场拓展方面取得突破，再次彰显了公司在行业内的实力与影响力。

6月25日，雷电微力在深交所互动易平台回复投资者提问时表示，公司研制低成本低剖面氮化镓组件，部分产品已量产。第三代半导体氮

据《华尔街日报》援引知情人士的话报道称，负责美国商务部工业和安全局（BIS）的商务部副部长杰弗里·凯斯勒 （Jeffrey Kessler） 已经通知三星电子、SK海力士、台积电等在中国大陆拥有晶圆厂的晶圆制造商，美国计划取消允许它们在中国使用美国技术（主要是半导体设备）的豁免。

德州仪器（TI）公司宣布计划在美国投资超过600亿美元建设半导体工厂，使其成为最新一家在特朗普政府敦促投资并威胁以关税颠覆半导体行业之际，大力推广其美国国内制造雄心的芯片制造商。

国科新能创投Family 成员企业——安徽矽磊电子科技有限公司接近感应芯片和模组完成内部测试并宣布投产，标志着该公司在产品矩阵上实现新的进展，同时凸显了在国产射频芯片领域的技术实力。

在近期落幕的第 37 届功率半导体器件与集成电路国际会议（IEEE ISPSD 2025）上，浙江大学电气工程学院电力电子器件实验室（PEDL）取得了令人瞩目的成绩。团队共有四篇论文被选为大会全体报告（Oral Session）。该核心报告数量在全球所有高校、研究机构和企业中位居第一，充分彰显了浙大 PEDL 团队在宽禁带功率半导体领域的卓越科研实力。

浙江大学电气工程学院电力电子器件实验室（PEDL）取得了令人瞩目的成绩。团队共有四篇论文被选为大会全体报告（Oral Session）。该核心报告数量在全球所有高校、研究机构和企业中位居第一，充分彰显了浙大 PEDL 团队在宽禁带功率半导体领域的卓越科研实力。

世界半导体博览会是中国半导体领域极具影响力和标志性的行业龙头展会，也是荣获UFI认证的国际品牌展会，六届以来汇集了全球12个

市场对高效、清洁和可持续能源解决方案的需求日益增长，这推动了功率半导体行业的发展，也要求人们更加关注先进材料。在各种先进

6月4日，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案供应商瞻芯电子，在第37届国际功率半导体器件和集成电路研讨会（ISPSD2025）

上海合晶高管在业绩说明会上表示，公司今年重点聚焦布局12英寸发展趋势，全力推进12英寸55纳米CIS外延片量产

习近平总书记指出，中国式现代化关键在科技现代化。当前，新一轮科技革命和产业变革突飞猛进，科技创新成为国际战略博弈的主要战