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​2024年4月8-11日，国内化合物半导体领域规模最大、规格最高的标杆性展会——2024九峰山论坛暨中国国际化合物半导体产业博览会将在武汉光谷科技会展中心举行。

3月16-17日，央视《东方时空》《朝闻天下》播出特别策划新质生产力在中国探访中国六大科创中心武汉篇，大篇幅聚焦光谷，以下为原

近日，山东大学物理学院有机光电子学团队在有机光伏器件光物理与载流子输运机制的研究中取得新进展，相关工作发表于Advanced Mat

深圳大学材料学院刘新科课题组成功在氮化镓单晶衬底上外延了具有p型导电特性的高质量连续的MoxRe1-xS2薄膜，制备了一个完全垂直的p-2D/GaN异质光电二极管。器件具有突出的光开关比（> 106）和极高的光探测率（6.13×1014），实现了紫外到可见、近红外区域的宽光谱检测。

据晶能光电官微消息，近日，江西省市场监督管理局批复同意由晶能光电牵头筹建江西省技术标准创新基地（硅衬底半导体照明），这是

成都辰显光电有限公司在2024年1月16日宣布，成功点亮了全球首款88英寸P0.5 前维护TFT基Micro-LED拼接屏，这一创新成果不仅代表了

通过一种低成本、易操作的热退火方法，实现了对PECVD法生长的Ga2O3薄膜的表面调控，并基于能带调控理论，探索了这种热重组工程对基于Ga2O3的MSM型电光探测器性能的具体影响，提出了可实现的表面改性方法，涉及宽带隙半导体Ga2O3的表面物理与光电物理的融合。

GaN微纳米器件涉及纳米线阵列LED、纳米线柔性LED、纳米线激光器、纳米线集成光波导等，由于难以实现纳米尺寸、空间密度、形貌、结构等的有效控制，限制了纳米材料和器件的发展和应用。报告介绍一种新型GaN微纳结构的制备方法、光电特性及其紫外探测器件。

香港中文大学（深圳）冀东介绍了GaN同质外延中的雪崩特性的最新研究进展，涉及GaN同质外延中雪崩击穿的表征、GaN同质外延中碰撞电离系数测量，以及功率器件和雪崩光电二极管的应用等。

中国科学院半导体所申报的项目“高性能钙钛矿半导体光电器件的载流子输运调控及缺陷钝化研究”荣获2022年度北京市自然科学奖一等奖

“低缺陷氮化铝材料制备关键技术及其深紫外光电器件”项目荣获吉林省技术发明一等奖。

阳光电源高级工程师，中央研究院光储中小功率业务主管王昊做了”碳化硅功率器件在新能源领域的应用和挑战“的主题报告，分享了SiC器件在新能源行业应用的机遇、挑战，以及SiC器件在阳光电源应用的实践等内容。

近日，广东省高新技术企业协会网发布《关于公布2023年广东省名优高新技术产品评选通过正式名单的通知》，国星光电子公司风华芯电

VCSEL是很有发展前景的新型光电器件，也是光通信中革命性的光发射器件。VCSEL的优异性能已引起广泛关注，成为国际上研究的热点。

高性能陶瓷基板具有优异的机械、热学和电学性能，在电子和半导体领域有着广泛的应用，可以支撑和固定半导体材料的基础材料。其低

十四五开局之始，各地方政府积极把握新时期经济社会发展战略方向，构建新发展格局。广东省率先发布《广东省制造业高质量发展十四

半导体材料是信息技术产业的基石，氧化镓（Ga2O3）是潜力新星超宽带隙材料，Ga2O3 是大功率、高效率、特高压器件的理想选择。也

未来显示产品形态多样，功能要求严格，具有高度集成潜力的Mini/Micro LED显示技术脱颖而出。MicroLED可用作光电探测器来接收外部

Micro-LED技术应用已从大屏显示扩展到微显示，因其具有低功耗、高亮度、超高分辨率、色彩饱和度、响应速度快、寿命长等优势，已

近日，中国科学技术大学龙世兵课题组提出了一种Ga2O3光电探测器的交变栅压调制方案，为光电探测器的研究提供了新的思路。日盲光