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日本国立材料研究所廖梅勇团队证明了利用Ib型单晶金刚石（SCD）衬底表面态和深层缺陷的协同效应，可以实现低工作电压（<5 V）的超高增益DUV光电探测器（PD）。

据先导科技集团官微消息，日前，由先导科技集团旗下先导光电子事业部牵头的安徽省科技创新攻坚计划-氮化镓蓝光装备的全链条国产

由浙江能讯光电科技有限公司建设的光电集成产品产业化项目在区自然资源和规划分局完成方案确认手续

北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、人工微结构和介观物理国家重点实验室、纳光电子前沿科学中心王新强教授与北京大学电子显微镜实验室王涛高级工程师探测到褶皱二维氮化镓（GaN）的声子行为。

南方科技大学电子与电气工程系讲席教授、纳米科学与应用研究院执行院长孙小卫因其在光电材料和器件领域的贡献当选为IEEE Fellow。

”碳化硅功率器件及其封装技术 I“上，江苏博睿光电股份有限公司副总经理梁超做了”功率器件封装用的高性能AlN陶瓷基板及金属化技术“的主题报告。分享了面向功率器件封装用陶瓷基板的发展现况，以及博睿陶瓷基板研究进展等内容。

“氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术”分会上，中国科学院半导体研究所副研究员、中科重仪半导体联合创始人姚威振做了”GaN基光电材料外延与MOCVD反应腔结构关联性研究“的主题报告，分享了MOCVD反应器结构对硅基GaN生长的影响，基于模型的应力与翘曲控制策略的研究进展与成果。

吉利车规级半导体封测二期项目、光电芯片封装项目、常州银芯微功率半导体工厂、荆门市首个半导体封测项目迎来新进展。

博睿光电诚邀产业同仁共聚论坛，莅临B30号展位参观交流、洽谈合作。

近日，武汉灿光光电有限公司（简称灿光光电）二期总部研发生产基地多栋建筑完成装修，整体项目进度已完成90%，预计明年1月施工完

11月18-21日，IFWS2024&SSLCHINA2024、先进半导体技术应用创新展将在苏州国际博览中心举办。镭昱光电将携多款产品亮相此次展会，诚邀产业同仁共聚论坛，莅临 A29号展位参观交流、洽谈合作。

厦门大学康俊勇教授课题组与三安光电股份有限公司合作，系统研究了瓦级大功率GaN激光器的老化物理机制，从而设计并制备了抗老化芯片结构，减缓老化过程，大幅提高器件寿命。

11月18-21日，IFWS2024&SSLCHINA2024、先进半导体技术应用创新展将在苏州国际博览中心举办。南大光电诚挚邀请产业同仁共聚论坛。

华灿光电就前三季度业绩变动原因说明称，营收增长主要系报告期内加大市场开拓，出货量增加所致。

10月23日，落户火炬高新区的永泰光电激光雷达模组研发生产基地项目取得施工许可证，而就在前一天的10月22日，该项目用地成功摘牌

二维半导体为构建新型纳米器件提供了大量机会，作为其中的代表二硒化铼ReSe2已在二维激光、晶体管和光电探测器等领域取得了一系列进展。

研究背景-Ga₂O₃ 作为新兴超宽禁带半导体材料，具有约 4.9 eV 的准直接带隙，其光响应峰值正好落在日盲紫外波段，是制备日盲紫

天眼查显示，西安和其光电科技股份有限公司近日取得一项名为用于光纤传感器封装的高精密多维调节对位系统及方法的专利，授权公告

康奈尔大学Huili Grace Xing和Debdeep Jena团队在Nature期刊上发表了题为“Using both faces of polar semiconductor wafers for functional devices”的最新论文。研究人员提出了一种新型的双电子集成方案，该方案利用GaN基材的N极面和金属极面分别制作HEMT和LED。这一方法避免了需要选择性去除或再生长外延层的复杂过程，从而降低了对材料界面质量的要求，显著提高了器件的性能。

“智慧健康照明技术及应用”主题分会上，来自南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心（南昌实验室）、朗德万斯、江西省应用光学技术重点实验室、金鉴实验室、勤上光电、升谱光电、同方股份等实力派代表性企业机构的嘉宾们带来精彩报告