2025年11月11-14日，年度国际第三代半导体行业盛会——第十一届国际第三代半导体论坛&第二十二届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA 2025）将在厦门召开。届时，北京国联万众半导体科技有限公司将携最新产品方案亮相本次盛会（展位号：A58），并诚挚邀请行业专家学者、业界同仁莅临现场，进行深入的交流与探讨。
同时，北京国联万众半导体科技有限公司产品开发部高级经理王帅将在“化合物半导体射频电子技术分会”上，发表《SiC基GaN射频芯片与电力电子芯片技术》主题演讲。详情如下：
企业简介
北京国联万众半导体科技有限公司成立于2015年，是中国电科产业基础研究院（中电十三所）下属上市公司“中瓷电子：003031”的全资子公司。公司位于北京市顺义区文良街15号，占地面积47.2亩，建筑面积7.1万平方米。公司主营业务为第三代半导体氮化镓和碳化硅芯片、器件的设计、生产与销售，同时开展第三代半导体封装、模块、科技服务等业务。公司主导产品氮化镓射频功放芯片产品技术水平达到国际领先，并已在世界主流通信公司得到规模应用，累计发货突破2亿只;碳化硅 MOSFET产品技术水平达到国际先进，并已在新能源汽车、充电桩等领域开始大批量应用，累计发货突破5万只。
公司拥有国家“双创”支撑平台、众创空间、中关村硬科技孵化平台、北京市科技企业孵化器等资质，是国家第三代半导体创新技术中心(北京)主要建设和运营主体单位。2023年，国联万众和中国电科产业基础研究院控股上市公司“中瓷电子”重组成功，获得募集资金将建设和开展“第三代半导体工艺及封测平台建设项目”和“碳化硅高压功率模块关键技术研发项目”，进一步补充芯片及模块产能，推动我国第三代半导体核心芯片实现自主可控，成为国际一流的第三代半导体骨干企业。
主题演讲
王帅
北京国联万众半导体科技有限公司产品开发部高级经理
·演讲题目
SiC基GaN射频芯片与电力电子芯片技术
GaN-on-SiC RF and Power Electronics Chip Technologies
·会议名称：化合物半导体射频电子技术分会
·演讲时间：2025年11月13日 10:00-10:20
·演讲地点：泰地万豪酒店·二层 · 大宴会厅1
产品简介
01. SiC SBD 电力电子芯片
SIC二极管芯片，高温高效，助力新能源与工业应用，性能卓越。
SIC diode chips excel in high-temperature and high-efficiency performance, powering new energy and industrial applications.
02. SiC MOS 电力电子芯片
SIC MOS芯片，高频高效，开关损耗低，是提升系统功率密度的关键。
SIC MOS chips offer high-frequency operation,high efficiency, and low switching loss, key to boosting system power density.
03. 金属陶瓷封装用大功率GaN HEMT芯片
射频GaN HEMT，高功率、高频率，为5G与雷达提供核心动力。
RF GaN HEMT delivers high power and high frequency,serving as the core engine for 5G and radar systems.
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